電源
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電源設(shè)計(jì)中EMI的產(chǎn)生、傳播及優(yōu)化
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，電源不僅是設(shè)備正常運(yùn)行的基石，也是電磁干擾(EMI, Electromagnetic Interference)的主要來(lái)源之一。EMI不僅會(huì)影響電源自身的穩(wěn)定性和效率，還可能對(duì)系統(tǒng)中的其他電子設(shè)備造成干擾，導(dǎo)致整體性能下降甚至故障。因此，在電源設(shè)計(jì)階段就充分考慮并有效管理EMI，是確保電子系統(tǒng)電磁兼容性(EMC, Electromagnetic Compatibility)的關(guān)鍵。本文將深入探討電源設(shè)計(jì)中EMI的產(chǎn)生機(jī)制、傳播路徑以及優(yōu)化策略，以期為工程師們提供實(shí)用的參考和指導(dǎo)。
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QSPICE模擬仿真：各種類(lèi)型的電源
如果設(shè)計(jì)人員需要特別復(fù)雜的波形或包含設(shè)備記錄的樣本的信號(hào)，則可以使用“PWL 文件”。它可以描述任何類(lèi)型的信號(hào)，因?yàn)槠涿枋鲂詷颖敬鎯?chǔ)在文本文件中。要將信號(hào)數(shù)據(jù)導(dǎo)入 QSPICE，您需要將文本文件附加為 PWL 函數(shù)。PWL 文件必須包含表示時(shí)間和值數(shù)據(jù)對(duì)的二維點(diǎn)列表，以逗號(hào)分隔，不包含標(biāo)題信息。這種類(lèi)型的生成器根據(jù)文本文件中定義的點(diǎn)之間的直線段繪制信號(hào)。通常，為了獲得更準(zhǔn)確的結(jié)果表示，建議增加用于描述結(jié)果的點(diǎn)數(shù)。這是因?yàn)辄c(diǎn)數(shù)越多，包含的細(xì)節(jié)就越多，從而提高了表示的清晰度和質(zhì)量。示例數(shù)據(jù)文件如下：
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最大限度地降低電源中的 EMI
現(xiàn)代電子系統(tǒng)正變得越來(lái)越密集，集成度越來(lái)越高。本文將介紹一些經(jīng)過(guò)實(shí)踐檢驗(yàn)的降低電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中電磁干擾 (EMI) 水平的方法。設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)階段的后期必須意識(shí)到嚴(yán)重的 EMI 問(wèn)題，否則可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)多的金錢(qián)和時(shí)間成本。
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軟件控制正弦波逆變器過(guò)零點(diǎn)產(chǎn)生振蕩的原因探析
正弦波逆變器作為一種重要的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備，在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它通過(guò)將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，為各種設(shè)備提供所需的電源。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我們常常會(huì)遇到一個(gè)問(wèn)題：當(dāng)軟件控制正弦波逆變器過(guò)零點(diǎn)時(shí)，為何會(huì)產(chǎn)生振蕩?這一問(wèn)題不僅影響了逆變器的性能，還可能對(duì)整個(gè)電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行造成威脅。因此，深入探討其產(chǎn)生振蕩的原因，對(duì)于提高正弦波逆變器的控制精度和穩(wěn)定性具有重要意義。
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AC-DC電源適配器的六級(jí)能效
AC-DC電源適配器生產(chǎn)廠家隨著人們節(jié)能環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，對(duì)外置電源(如電流適配器、開(kāi)關(guān)電源、充電器等)要求越來(lái)越高。
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單端反激式開(kāi)關(guān)電源的控制原理
單端反激式開(kāi)關(guān)電源是一種電源電路，其工作原理主要基于磁芯的單端工作。當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，高頻變壓器的一次繞組儲(chǔ)存能量，而當(dāng)開(kāi)關(guān)管截止時(shí)，二次繞組則釋放儲(chǔ)存的能量。
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單端反激式開(kāi)關(guān)電源多路輸出設(shè)計(jì)
單端反激式開(kāi)關(guān)電源組成原理?一，熱地和冷地通過(guò)開(kāi)關(guān)變壓器進(jìn)行隔離，熱地帶電，冷地不帶電。二，開(kāi)關(guān)變壓器黑點(diǎn)標(biāo)注為同名端，同名端極性是相同的。
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授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)豐富的MEAN WELL電源解決方案
2024年7月3日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是知名電源制造商MEAN WELL的全球授權(quán)代理商。貿(mào)澤供應(yīng)MEAN WELL齊全的電源解決方案產(chǎn)品系列，庫(kù)存超過(guò)4,500種元器件，提供超過(guò)35,000個(gè)料號(hào)供客戶選購(gòu)。
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如何設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路電源？電源設(shè)計(jì)實(shí)例、技巧分享！
在這篇文章中，小編將為大家?guī)?lái)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路電源的設(shè)計(jì)。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用
【2024年6月26日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出600 V CoolMOS? 8 高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS? 7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動(dòng)汽車(chē)充電器、微型太陽(yáng)能等廣泛應(yīng)用。
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反激式開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)詳解
所謂的反激，是指當(dāng)開(kāi)關(guān)管 VT1 導(dǎo)通時(shí)，高頻變壓器T初級(jí)繞組的感應(yīng)電壓為上正下負(fù)，整流二極管 VD1 處于截止?fàn)顟B(tài)，在初級(jí)繞組中儲(chǔ)存能量。
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DC/DC基本拓?fù)洌築uck、Boost設(shè)計(jì)
升壓與降壓一般是指電源電路的工作模式，有些電源IC可以同時(shí)支持升壓和降壓模式。
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最新典型的電源網(wǎng)絡(luò)管理實(shí)例
電源如何連接到典型的處理器和其他外圍組件用例，從而可以有效的支持電源分布式網(wǎng)絡(luò)(Power Distribution Network，PDN)。
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同步整流器的數(shù)字控制方法 ---數(shù)字控制
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專(zhuān)用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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隔離電源與非隔離電源該如何選擇?
對(duì)于光耦反饋的各種連接方式及其區(qū)別，目前尚未見(jiàn)到比較深入的研究。而且在很多場(chǎng)合下，由于對(duì)光耦的工作原理理解不夠深入，光耦接法混亂，往往導(dǎo)致電路不能正常工作。
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工頻變壓器中如何輸出正負(fù)電壓
隨著電子技術(shù)的提高，以及電子產(chǎn)品的發(fā)展，一些系統(tǒng)中經(jīng)常會(huì)需要負(fù)電壓為其供電。例如，在大功率變頻器，會(huì)使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓
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開(kāi)關(guān)電源的紋波測(cè)試及其改善方法
一個(gè)電源工作在穩(wěn)壓狀態(tài),其輸出為12V5A，測(cè)得紋波的有效值為10mV，這10mV就是紋波的絕對(duì)量，而相對(duì)量即紋波系數(shù)=紋波電壓/輸出電壓=10mv/12V=0.12%。
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中，突發(fā)模式和脈沖跳頻模式的控制策略
開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率是指電源在開(kāi)啟和關(guān)斷之間的轉(zhuǎn)換頻率，是評(píng)估開(kāi)關(guān)電源性能和可靠性的重要參數(shù)之一。開(kāi)關(guān)頻率可以控制輸出電流的大小，提高穩(wěn)定性。
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e絡(luò)盟現(xiàn)貨銷(xiāo)售菲尼克斯電氣全新推出的連接、電源和外殼產(chǎn)品
e絡(luò)盟客戶可以使用易用的組件來(lái)規(guī)劃、設(shè)計(jì)和部署新產(chǎn)品
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率
【2024年6月25日，德國(guó)慕尼黑訊】隨著人工智能(AI)處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源(PSU)必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)開(kāi)發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?，F(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC? MOSFET 400 V系列。全新MOSFET產(chǎn)品組合專(zhuān)為AI服務(wù)器的AC/DC級(jí)開(kāi)發(fā)，是對(duì)英飛凌最近公布的PSU路線圖的補(bǔ)充。該系列器件還適用于太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、變頻電機(jī)控制、工業(yè)和輔助電源(SMPS)以及住宅建筑固態(tài)斷路器。
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