21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術，有助于實現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅（Si）的現(xiàn)有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

最近，為了促進環(huán)境保護，很多客戶對高效能電源電路的需求日益增長?？照{、通信基站、PC服務器和太陽能陣列等使用電源轉換電路或逆變電路的產品，對更高效的電源轉換有著特別強勁的需求。因此，這些電源轉換電路中所用的二極管需要提供更快的轉換速度，并可以低壓工作。于是，瑞薩開發(fā)了這款全新SiC SBD來滿足上述需求。

RJS6005TDPP的主要特性：
• 更快的轉換速度，其損耗較之現(xiàn)有產品降低了40%
全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢復時間（注2）為15納秒（標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/µs），與現(xiàn)有瑞薩硅電子產品相比，其速度快了大約40%。這可以實現(xiàn)更快的轉換速度，與瑞薩硅基產品相比降低了大約40%的功耗。
此外，當溫度升高時，反向恢復時間不會降低，從而在高溫環(huán)境下工作時可實現(xiàn)始終如一的低轉換損耗。
• (2) 低壓工作
這款全新SiC-SBD的額定電壓（正向降壓，VF）僅1.5伏（V），低于現(xiàn)有的硅快速觸發(fā)二極管產品的額定電壓。此外，該SiC-SBD的溫度依賴性較小，可確保獲得穩(wěn)定的正向電壓——即使在高溫條件下。這意味著可使用更緊湊的散熱設計，以降低成本，并減小產品體積。

這款全新RJS6005TDPP SiC-SBD應用相當于工業(yè)標準的TO-220封裝，并可實現(xiàn)引腳兼容。這意味著RJS6005TDPP SiC SBD可輕松地用于替代現(xiàn)有印刷電路板上傳統(tǒng)的硅二極管。

瑞薩電子全新功率器件的產品陣容頗為強大，電流從3A至30 A不等，額定峰值電壓為600 V，這些功率器件專用于滿足空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統(tǒng)對高效能的需求，同時，計劃推出額定峰值電壓為1200 V的產品系列。瑞薩努力為客戶提供結合MCU和模擬及功率器件的整體解決方案，矢志成為領先的功率器件供應商。瑞薩計劃增強套件解決方案和復合半導體器件，以全新高壓SiC-SBD功率器件為核心，并輔以外圍電源控制IC、高性能IGBT、高壓超結MOSFET和光電耦合器。

瑞薩全新RJS6005TDPP SiC SBD的樣品現(xiàn)已上市，單價為5美元。瑞薩計劃在2012年3月開始批量生產，預計在2012年8月的月產量達到10萬件。

• （注1）碳化硅（SiC）：
這種材料在熱導率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場強等特性上優(yōu)于硅，具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。
• （注2）反向恢復時間：
當二極管在規(guī)定的正向電流已流過后從導通狀態(tài)轉換至關閉狀態(tài)，由于在結中積累了少量載流子，因而將存在反向電流。反向恢復時間表示在切換至關閉狀態(tài)后恢復到規(guī)定電流值所需的時間。

RJS6005TDPP SiC SBD的產品規(guī)格
1. RJS6005TDPP的規(guī)格
• 反向峰值電壓（VRM）：600 V
• 平均整流電流（Io）：15 A
• 正向壓降（VF）：1.5 V
• 反向恢復時間（trr）：標準15 ns（ID = 10 A，VGSS = 10 V）
• 額定通道溫度（Tch）：+150 ℃
• 封裝：TO-220，全封