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[導讀]三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為題,攜帶九款全新功率器件,于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。今年展

三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構建可持續(xù)未來”為題,攜帶九款全新功率器件,于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。

今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域,包括:工業(yè)傳動、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動汽車,致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。

工業(yè)及光伏發(fā)電市場

針對工業(yè)光伏逆變器市場的需要,三菱電機將展出四款新型功率模塊,包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊及1in1三電平逆變器用IGBT模塊。

這次展出的第7代IGBT模塊,特別適用于通用變頻器。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流100A至1000A;采用預涂熱界面材料(TIM),與傳統(tǒng)硅脂相比,模塊與散熱器的接觸熱阻降低 50%。它繼承現有的統(tǒng)一封裝(NX)和傳統(tǒng)封裝(A/NF/MPD),適應不同的結構設計需求;NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子。

整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+則完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應的驅動保護電路。 它采用第7代CSTBTTM硅片;提供短路保護和欠壓保護;內置自舉二極管; 提供LVIC溫度模擬量輸出功能;額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設計通用變頻器,可以最大程度地簡化布線設計,縮小基板面積,縮短開發(fā)周期;同時還可以降低布線電感及濾波器成本,使噪聲設計變得簡單。

4in1 T型三電平逆變器用IGBT模塊, 是專門為提高光伏發(fā)電效率而開發(fā)的400A模塊, 半橋采用第6.1代1200V IGBT硅片,交流開關采用第7代650V IGBT硅片,損耗低、允許結溫高達175℃;內部雜散電感小,正負端子之間為32nH、正零端子之間為和零負端子之間均27nH;絕緣耐壓高達 4000Vrms/1min;更采用了易于并聯的封裝結構。

在1in1三電平逆變器用IGBT模塊中,1200V級和1700V級均采用第6代IGBT硅片,實現更低損耗,方便客戶根據不同需要構建I型或者T型三電平拓撲;模塊內部雜散電感小,一單元模塊為8nH,兩單元模塊為12nH。絕緣耐壓高達4000Vrms/1min,結溫最高可達175℃。

三菱電機大中國區(qū)半導體總經理四個所大亮先生稱:“三菱電機承持可持續(xù)發(fā)展信念,不斷研發(fā)高性能、高可靠性及小型化的功率器件,來滿足電力電子市場的需要。對于功率器件市場的前景,我們抱持十分樂觀的態(tài)度,隨著中國政府加大力度治理環(huán)境,必將給新能源利用產業(yè)帶來更大的發(fā)展空間。”

變頻家電市場

對于變頻家電應用,三菱電機這次特別推介兩款產品,分別為SJMOS DIPIPMTM模塊與專為變頻冰箱及變頻風機設計的SLIMDIP模塊。

SJMOS DIPIPMTM模塊采用IGBT和SJMOS并聯技術,達至同時優(yōu)化小電流段和大電流段的損耗,封裝和功能完美,兼容第6代超小型DIPIPM模塊。

SLIMDIP則采用第3代RC-IGBT技術,集成短路保護和欠壓保護,內置自舉二極管(和限流電阻),同時提供LVIC溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本,封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達30%。

軌道牽引及電動汽車驅動市場

在PCIM 2015亞洲展上,三菱電機為軌道牽引領域帶來兩款新的功率模塊,分別為X系列HVIGBT模塊及下一代兩單元HVIGBT模塊,可應用于牽引變流器及直流輸電變流子模塊;而J1系列車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅動器。

X系列是最新一代HVIGBT模塊,進一步提升了3.3kV/4.5kV/6.5kV等級的額定電流;使用了第7代IGBT和RFC Diode硅片技術,實現更低飽和壓降和開關損耗。它同時采用LNFLR技術,實現低熱阻;并有更寬的安全工作區(qū)。針對電力傳輸應用而開發(fā)的 6500V/1000A單管HVIGBT模塊已率先發(fā)布。

至于下一代兩單元HVIGBT模塊,將提供三個電壓等級3.3kV/450A、4.5kV/400A及6.5kV/275A,均采用全新封裝,實現更低的雜散電感及更易于并聯,其絕緣耐壓達10.4kVrms/1min。

J1系列車用IGBT模塊專為電動汽車驅動器設計,是采用Pin-fin底板的六合一IGBT模塊。它采用第7代IGBT硅片技術及高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術,以及基于硅片的溫度和電流檢測技術;與傳統(tǒng)的結構相比,熱阻降低40%,安裝面積減小40%。三菱電機將提供包括驅動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術支持,以方便客戶快速應用該模塊實現車用逆變器的設計。

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