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[導(dǎo)讀]Quick Charge 2.0快速充電標(biāo)準(zhǔn)將風(fēng)靡行動裝置市場。高通(Qualcomm)于今年上半年發(fā)表Quick Charge 2.0快充標(biāo)準(zhǔn)后,不僅將其內(nèi)建于Snapdragon 800處理器中,同時與包爾英特(Power Integrations)、戴樂格(Dialog)及快捷

Quick Charge 2.0快速充電標(biāo)準(zhǔn)將風(fēng)靡行動裝置市場。高通(Qualcomm)于今年上半年發(fā)表Quick Charge 2.0快充標(biāo)準(zhǔn)后,不僅將其內(nèi)建于Snapdragon 800處理器中,同時與包爾英特(Power Integrations)、戴樂格(Dialog)及快捷(Fairchild)等數(shù)家電源管理積體電路(IC)商合作,推出Quick Charge 2.0充電器IC,期迅速壯大Quick Charge 2.0生態(tài)圈。

高通Summit Microelectronics產(chǎn)品管理總監(jiān)Abid Hussain指出,手機(jī)廠為提高電池續(xù)航力,除提供更大的電池容量外,更傾向于加入快速充電功能。

高通Summit Microelectronics產(chǎn)品管理總監(jiān)Abid Hussain表示,無論是智慧型手機(jī)或平板電腦等行動裝置皆開始搭載更高解析度的螢?zāi)弧⒍嗪薌Hz等級處理器以及長程演進(jìn)計劃(LTE)功能,因而耗電量遽增,不僅須搭配較過往方案三倍大容量的鋰電池,且使用者對短時間內(nèi)快速取得可用電力的需求將較往年增加。

Hussain強(qiáng)調(diào),對于行動裝置使用者而言,電池續(xù)航力將成為消費(fèi)者評斷產(chǎn)品好壞的重要關(guān)鍵,此外,消費(fèi)者普遍認(rèn)為在急需用電的時候,讓手機(jī)保有五成至八成的電力,將比充飽電(100%)還重要許多,因此快充方案將炙手可熱。

據(jù)了解,高通于今年全球行動通訊大會(MWC)正式發(fā)表Quick Charge 2.0通訊標(biāo)準(zhǔn)。與傳統(tǒng)通用序列匯流排(USB)充電方案及Quick Charge 1.0方案相較,Quick Charge 2.0可在半小時內(nèi)為3,300毫安時(mAh)的電池充飽60%的電力,但其他兩者則分別僅能為手機(jī)提供10%及30%的電池容量。

Hussain指出,Quick Charge 2.0標(biāo)準(zhǔn)最高可讓行動裝置充電時間縮短75%,并與USB充電標(biāo)準(zhǔn)--BC 1.2及Quick Charge 1.0標(biāo)準(zhǔn)相容。高通為加速提升Quick Charge 2.0市場滲透率,已將其通訊協(xié)定內(nèi)建于高通Snapdragon 800處理器中,并攜手包爾英特、戴樂格旗下iWatt及快捷等數(shù)家合作廠商推出充電器IC,以確保在2014年Quick Charge 2.0生態(tài)系統(tǒng)臻于完善。

事實(shí)上,不僅搭載高通處理器的行動裝置將可享有Quick Charge 2.0功能,其他未內(nèi)建高通處理器的行動裝置如數(shù)位相機(jī),未來亦可藉由高通推出的獨(dú)立式(Stand-alone)充電IC新增快速充電功能。

包爾英特已于日前推出符合Quick Charge 2.0標(biāo)準(zhǔn)的充電器參考設(shè)計,可與內(nèi)建高通Snapdragon 800處理器的行動裝置溝通,提供5伏特(V)、9伏特或12伏特的輸出電壓及2安培(A)的定電流,持續(xù)輸出10~24瓦(W)的電源予行動裝置;此外,針對不具備Quick Charge 2.0充電功能的行動裝置,包爾英特的充電IC將自動停用9伏特及12伏特兩種較高電壓功能,以確保充電安全并自動向下相容至行動裝置既有充電標(biāo)準(zhǔn),包括USB BC1.2及Quick Charge 1.0等。

值得一提的是,Quick Charge 2.0標(biāo)準(zhǔn)將讓高通跨足行動裝置以外市場,未來該標(biāo)準(zhǔn)將進(jìn)一步推出20伏特快充方案,并以3安培的定電流提供60瓦的充電功率,主要應(yīng)用于一般墻壁上的USB插座,可望提供更多家電用品快速充電功能,加速擴(kuò)大Quick Charge 2.0生態(tài),為高通挹注更多行動裝置市場外的營收。

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