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[導(dǎo)讀]北京時(shí)間2013年12月20日下午消息,根據(jù)一項(xiàng)報(bào)告,英特爾(25.05,-0.09,-0.34%)公司下一代Broadwell架構(gòu)芯片的高性能版本將擁有18內(nèi)核,其將成為英特爾公司迄今為止內(nèi)核數(shù)最多的芯片。同時(shí),另一份報(bào)告指出下一代Broad

北京時(shí)間2013年12月20日下午消息,根據(jù)一項(xiàng)報(bào)告,英特爾(25.05,-0.09,-0.34%)公司下一代Broadwell架構(gòu)芯片的高性能版本將擁有18內(nèi)核,其將成為英特爾公司迄今為止內(nèi)核數(shù)最多的芯片。同時(shí),另一份報(bào)告指出下一代Broadwell架構(gòu)芯片將廣泛應(yīng)用于平板電腦。

新加坡虛實(shí)區(qū)域(Vr-zone)網(wǎng)站本周報(bào)道稱,英特爾計(jì)劃基于其即將發(fā)布的14納米工藝流程開發(fā)下一代擁有18內(nèi)核的Broadwell-EP或EX架構(gòu)至強(qiáng)芯片。

虛實(shí)區(qū)域網(wǎng)站稱:“英特爾公司并沒有提高芯片速度,只不過(guò)在單個(gè)芯片或晶片中布置更多的芯片。虛實(shí)區(qū)域同時(shí)發(fā)布了一組據(jù)稱為英特爾公司產(chǎn)品開發(fā)未來(lái)藍(lán)圖的幻燈片。

根據(jù)虛實(shí)區(qū)域網(wǎng)站的消息,下一代多核芯片在2015年之前不會(huì)面世。

該網(wǎng)站還稱英特爾公司正在計(jì)劃醞釀開發(fā)一款用于臺(tái)式機(jī)和計(jì)算機(jī)工作站的擁有8到10內(nèi)核數(shù)的高性能處理器。

首個(gè)Broadwell架構(gòu)芯片預(yù)計(jì)將在明年上半年問世。Broadwell架構(gòu)芯片基于當(dāng)前第四代酷睿(Haswell)處理器設(shè)計(jì)。目前英特爾芯片內(nèi)核數(shù)量為12,穩(wěn)居第一。

如果軟件能夠充分利用新增的內(nèi)核容量,則新增的處理器內(nèi)核將會(huì)為計(jì)算機(jī)帶來(lái)更強(qiáng)大的處理性能。

不過(guò),這并不是英特爾計(jì)劃開發(fā)Broadwell架構(gòu)芯片的全部初衷。中央處理器世界(CPUWorld)網(wǎng)站報(bào)道,在處理器產(chǎn)品系列的另一端,下一代耗能的Broadwell架構(gòu)芯片可能擁有低至4.5瓦的熱封套。

這將使得Broadwell架構(gòu)芯片很容易應(yīng)用于平板電腦以及一體機(jī)——這是英特爾最近一直非常關(guān)注的市場(chǎng)。

英特爾公司拒絕對(duì)上述報(bào)道發(fā)表評(píng)論。
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