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[導(dǎo)讀]海力士(skhynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲(chǔ)器(nandflash)微細(xì)制程,積極執(zhí)行資本支出,周星工程(jusungengineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(samsungelectronics)計(jì)劃在2014年第2季投入nand制程轉(zhuǎn)換,執(zhí)行資本支出。據(jù)南韓

海力士(skhynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲(chǔ)器(nandflash)微細(xì)制程,積極執(zhí)行資本支出,周星工程(jusungengineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(samsungelectronics)計(jì)劃在2014年第2季投入nand制程轉(zhuǎn)換,執(zhí)行資本支出。

據(jù)南韓mtnews報(bào)導(dǎo),eugenetechnology、tes、周星工程等南韓半導(dǎo)體設(shè)備廠進(jìn)入2014年后,接下sk海力士等數(shù)百億韓元規(guī)模的制程設(shè)備訂單。未來kookjeelectric、psk等設(shè)備業(yè)者也將獲得訂單。

截至目前,南韓設(shè)備廠接下的訂單大多集中在半導(dǎo)體前段制程的蒸鍍?cè)O(shè)備,其中有大部分是要供應(yīng)到sk海力士的清州廠。

sk海力士的nandflash制程將從20納米轉(zhuǎn)換到16納米制程,資本支出將集中在2014年上半執(zhí)行。納米制程是將半導(dǎo)體電路線幅縮小到納米水準(zhǔn)的尖端制程技術(shù)。

與20納米制程相比,16納米制程可將生產(chǎn)性提升30%以上。sk海力士2014年包含轉(zhuǎn)換16納米制程等,對(duì)nandflash的資本支出規(guī)模預(yù)估約1.3兆韓元(約12億美元)。

根據(jù)南韓金融監(jiān)督院電子公告系統(tǒng),eugenetechnology2014年與sk海力士簽下總規(guī)模350億韓元的半導(dǎo)體蒸鍍?cè)O(shè)備訂單。eugenetechnology的化學(xué)氣相沉積(lpcvd)設(shè)備和電漿處理設(shè)備等,足以與美商應(yīng)材(appliedmaterials)和日廠東京電子(tokyoelectron)等全球性業(yè)者匹敵。

tes第1季就接下sk海力士190億韓元規(guī)模的非晶碳膜(acl)等蒸鍍?cè)O(shè)備訂單。周星工程則將供應(yīng)包含新研發(fā)的電漿化學(xué)氣相沉積(sdpcvd)等機(jī)臺(tái),訂單規(guī)模約108億韓元。

此外,kookjeelectric、psk、kctech、gst、sti等也將對(duì)sk海力士供應(yīng)擴(kuò)散設(shè)備、剝離設(shè)備、空氣凈化等nand相關(guān)設(shè)備。另一方面,繼sk海力士之后,三星也將在第2季投入制程轉(zhuǎn)換,將展開設(shè)備發(fā)包操作。三星nandflash相關(guān)受惠股有wonikips、apsystems、rorzesystems等。
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