TSV技術(shù)擴(kuò)大異種芯片封裝應(yīng)用恐撼動(dòng)市場(chǎng)版圖
[導(dǎo)讀]直通矽穿孔(TSV)封裝時(shí)代即將來臨，將撼動(dòng)現(xiàn)有的半導(dǎo)體市場(chǎng)版圖。過去TSV技術(shù)只能堆疊DRAM、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等同種芯片，但目前已進(jìn)化到可堆疊系統(tǒng)芯片與記憶體、系統(tǒng)芯片與系統(tǒng)芯片等，封裝異種芯片。TSV半導(dǎo)體
直通矽穿孔(TSV)封裝時(shí)代即將來臨，將撼動(dòng)現(xiàn)有的半導(dǎo)體市場(chǎng)版圖。過去TSV技術(shù)只能堆疊DRAM、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等同種芯片，但目前已進(jìn)化到可堆疊系統(tǒng)芯片與記憶體、系統(tǒng)芯片與系統(tǒng)芯片等，封裝異種芯片。TSV半導(dǎo)體目前仍未有明確的標(biāo)準(zhǔn)，但可在初期掌握技術(shù)主導(dǎo)權(quán)的企業(yè)，就有機(jī)會(huì)主導(dǎo)從系統(tǒng)芯片到記憶體的整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)。
記憶體、系統(tǒng)芯片、晶圓代工、后段制程業(yè)者間，將更積極爭(zhēng)奪TSV市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)。據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，近來三星電子(SamsungElectronics)研發(fā)出將移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)和記憶體以TSV載板(interposer)方式堆疊的2.5D產(chǎn)品。最快2014年內(nèi)可推出1~2項(xiàng)產(chǎn)品。三星2011年公開4層堆疊的30納米級(jí)4GbDDR3DRAM產(chǎn)品后，仍持續(xù)累積TSV技術(shù)實(shí)力。
南韓業(yè)者表示，三星除記憶體外也生產(chǎn)AP等系統(tǒng)芯片，因而確保半導(dǎo)體從前段到后段制程所必要的技術(shù)。TSV市場(chǎng)若正式成形，將對(duì)三星形成有利的局勢(shì)。為確保異種芯片TSV技術(shù)，記憶體業(yè)者和系統(tǒng)芯片業(yè)者間的合縱連橫也開始活躍。
韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SKHynix)和AMD攜手研發(fā)將29納米DRAM4層堆疊的圖形處理用高頻寬記憶體(HighBandwidthMemory；HBM)，并將于2014年9月公開樣品。該產(chǎn)品的目標(biāo)為移動(dòng)裝置、伺服器市場(chǎng)。系統(tǒng)芯片龍頭高通(Qualcomm)和英特爾(Intel)近來也與多間記憶體業(yè)者攜手合作，加速研發(fā)異種芯片TSV產(chǎn)品。美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)晚一步尋求系統(tǒng)芯片業(yè)者的合作，正極力確保異種芯片TSV技術(shù)，近來已發(fā)包晶圓接合(waferbonding)和剝離(debonding)設(shè)備，及導(dǎo)孔蝕刻設(shè)備。
2015年初將以網(wǎng)路市場(chǎng)為目標(biāo)，公開TSV產(chǎn)品。南韓證券分析師表示，想實(shí)現(xiàn)異種芯片TSV封裝，必須經(jīng)過形成絕緣層、注入銅、晶圓研磨、封測(cè)等多元制程，為高難度技術(shù)。初期在市場(chǎng)上制程競(jìng)爭(zhēng)力具優(yōu)勢(shì)，能提升需求的綜合半導(dǎo)體業(yè)者，將居有利位置。
記憶體、系統(tǒng)芯片、晶圓代工、后段制程業(yè)者間，將更積極爭(zhēng)奪TSV市場(chǎng)主導(dǎo)權(quán)。據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，近來三星電子(SamsungElectronics)研發(fā)出將移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)和記憶體以TSV載板(interposer)方式堆疊的2.5D產(chǎn)品。最快2014年內(nèi)可推出1~2項(xiàng)產(chǎn)品。三星2011年公開4層堆疊的30納米級(jí)4GbDDR3DRAM產(chǎn)品后，仍持續(xù)累積TSV技術(shù)實(shí)力。
南韓業(yè)者表示，三星除記憶體外也生產(chǎn)AP等系統(tǒng)芯片，因而確保半導(dǎo)體從前段到后段制程所必要的技術(shù)。TSV市場(chǎng)若正式成形，將對(duì)三星形成有利的局勢(shì)。為確保異種芯片TSV技術(shù)，記憶體業(yè)者和系統(tǒng)芯片業(yè)者間的合縱連橫也開始活躍。
韓系半導(dǎo)體大廠SK海力士(SKHynix)和AMD攜手研發(fā)將29納米DRAM4層堆疊的圖形處理用高頻寬記憶體(HighBandwidthMemory；HBM)，并將于2014年9月公開樣品。該產(chǎn)品的目標(biāo)為移動(dòng)裝置、伺服器市場(chǎng)。系統(tǒng)芯片龍頭高通(Qualcomm)和英特爾(Intel)近來也與多間記憶體業(yè)者攜手合作，加速研發(fā)異種芯片TSV產(chǎn)品。美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)晚一步尋求系統(tǒng)芯片業(yè)者的合作，正極力確保異種芯片TSV技術(shù)，近來已發(fā)包晶圓接合(waferbonding)和剝離(debonding)設(shè)備，及導(dǎo)孔蝕刻設(shè)備。
2015年初將以網(wǎng)路市場(chǎng)為目標(biāo)，公開TSV產(chǎn)品。南韓證券分析師表示，想實(shí)現(xiàn)異種芯片TSV封裝，必須經(jīng)過形成絕緣層、注入銅、晶圓研磨、封測(cè)等多元制程，為高難度技術(shù)。初期在市場(chǎng)上制程競(jìng)爭(zhēng)力具優(yōu)勢(shì)，能提升需求的綜合半導(dǎo)體業(yè)者，將居有利位置。
下載文檔
