近期，7月初，日本經濟產業(yè)省宣布，自7月4日起，包括“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。使得價格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場，突然遇到了產業(yè)變動。

其中，光刻膠與NAND Flash等存儲芯片的生產制造相關。有手機從業(yè)者曾告訴記者，存儲已經超過屏幕、CPU，成為手機最大的成本，存儲在手機中的成本達到25%-35%，可見其重要性。

另一方面，6月底，東芝的NAND Flash的工廠突然斷電13分鐘，至今還未恢復正常運營。這些因素都對接下來NAND Flash的產能以及價格造成影響，因此也有傳聞稱接下來NAND Flash會漲價。

但是在業(yè)內看來，雖然降幅可能收窄，價格下跌的趨勢卻很難改變。集邦咨詢(TrendForce)研究協(xié)理陳玠瑋告訴21世紀經濟報道記者：“預估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”

閃存市場的兩起突發(fā)

具體來看，一方面日本對出口韓國的半導體管制變得嚴厲，自7月4日起，韓國的最惠國待遇就被取消了，對于氟聚酰亞胺等三種半導體材料的出口限制上，從原先的免申請出口許可，改為逐案審核，相關審查流程最長將達90個工作日。

據(jù)了解，光刻技術是芯片制造中重要的工藝，而光刻膠則是光刻技術實現(xiàn)的關鍵材料，是涂覆在半導體基板上的感光劑，占芯片制造成本約為7%。在光刻膠這一上游領域，日本企業(yè)占據(jù)壟斷地位。

在NAND Flash市場上，主要玩家有三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士、英特爾，其中三星陣營和東芝陣營占據(jù)了半壁江山。而日本的斷供，也將影響韓國三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造，導致減產。

為了應對這一局面，業(yè)內也傳出消息稱，海力士正在和Intel談判，或收購大連工廠及3D NAND業(yè)務，從而補充產能。此外，韓國產業(yè)通商資源部提出了“復興戰(zhàn)略”，加強韓國國內的供應鏈，預計從2021年起，將對半導體材料、零組件、設備研發(fā)投入6兆韓元(約51億美元)的預算。

另一方面，東芝在6月遭遇斷電事故，5個工廠未能幸免，至今還未完全恢復，這也影響了NAND Flash的產能。而受傷的廠區(qū)也包括東芝和西部數(shù)據(jù)的合資廠，西部數(shù)據(jù)公開表示，約6ExaByte (EB)的產能受到影響。

陳玠瑋向記者表示：“對東芝NAND Flash產能影響至少達30%，但預計七月中旬就會恢復生產。”

除了以上的突發(fā)事故，另一巨頭美光的營收和產能也不理想。受到供大于求的環(huán)境背景、以及貿易摩擦的影響，美光2019財年Q3季度中，NAND營收大約占總營收的31%，營收環(huán)比下降18%，同比下降25%。為了進一步改善市場供需，美光決定將NAND Flash產出減少比例從原來的5%提高到了10%，還將削減2020年資本支出。

下跌趨勢難反轉

有觀點認為，以上這兩個事件會對NAND Flash價格產生影響，甚至預計NAND Flash將漲價10%到15%。但是陳玠瑋告訴記者：“七月通路Wafer(晶圓)價格報價預計上漲至少10%，但成交價格可能不會上漲這么多，集邦咨詢預估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”

另一方面，中國國內長江存儲也在擴張產能，據(jù)悉，長江存儲有望在2019年底前在武漢存儲基地大規(guī)模生產64層3DNAND，長江存儲正在武漢建設一座240億美元的半導體工廠。雖然與國際大廠相比，長江存儲的64層3D NAND仍落后，產能不算大，但是差距在迅速縮小，也將對NAND Flash市場的價格產生沖擊。

在2017年時，由于閃存等存儲芯片價格持續(xù)上漲，一度引發(fā)了包括手機、固態(tài)硬盤、內存條等產品的陸續(xù)漲價。直到2018年，供需關系發(fā)生變化，閃存價格一直下跌，2019年跌勢繼續(xù)。

那么，面對今年NAND Flash產能減少的情況，三季度開始產品價格會上漲嗎?