匯聚旗下半導(dǎo)體公司與頂級專家的企業(yè) D3 Semiconductor宣布貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 現(xiàn)已成為其全球分銷合作伙伴。根據(jù)協(xié)議，貿(mào)澤電子目前儲備 D3 Semiconductor 的完整 650 伏額定電壓超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) +FET™ 產(chǎn)品線，該產(chǎn)品線在硬開關(guān)應(yīng)用 (例如在通訊、企業(yè)計算、不間斷電源 (UPS)和太陽能中使用的功率因數(shù)校正 (PFC) 升壓和逆變器) 方面具有同類最佳性能。

D3 Semiconductor 通過改變功率器件的基因奠定了進入功率電子行業(yè)的標(biāo)志。其產(chǎn)品開發(fā)路線將混合信號功能與高壓開關(guān)器件組合在一起，提供最高產(chǎn)品可靠性以及使解決方案迅速適合各類應(yīng)用的能力。除支持美洲和歐洲的電源市場外，D3 Semiconductor 還通過其附屬公司 D3 Asia 進入亞洲市場。

D3 Asia 總裁兼總經(jīng)理 Wally Klass 指出：“我們對這家聲譽卓越的世界級分銷商儲備我們新推出的 +FET™ MOSFET 產(chǎn)品感到非常高興。貿(mào)澤電子的客戶服務(wù)方法與我們一樣，是以最快速和最靈活的交付方法提供最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。” D3 Semiconductor 全球銷售與營銷副總裁 Scott Carson 也表示：“貿(mào)澤電子的全球占有率和注重對設(shè)計工程工作的支持，與 D3 Semiconductor 的市場進入戰(zhàn)略十分吻合。”

貿(mào)澤電子目前提供的 D3 Semiconductor首批 +FET 650 伏超結(jié)功率 MOSFET產(chǎn)品具有最高性能水平和可靠性。D3 Semiconductor 產(chǎn)品組合中的每一個 +FET 超結(jié)功率 MOSFET均以 650 伏節(jié)點為目標(biāo)，有助于改進傳統(tǒng)上由絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) (例如逆變器和電機驅(qū)動器) 服務(wù)的應(yīng)用功率密度。

貿(mào)澤電子供應(yīng)商管理與產(chǎn)品副總裁 Kristin Schuetter 指出：“D3 Semiconductor 的 +FET™ 超結(jié)技術(shù)在融合超級架構(gòu)功率和效率與混合信號精度方面具有獨特性。我們在各類要求高度可靠性電源市場中的客戶將從 D3 Semiconductor的高性能可擴展解決方案中受益。”

+FET™ MOSFET 具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS-ON)，從 32 毫歐到 1000 毫歐不等，可獲得低頻應(yīng)用中的改進性能，并幫助器件獲得在短期內(nèi)進行選通電極充電快速轉(zhuǎn)換的快速切換能力。該系列中的每一個器件均在生產(chǎn)過程中按照本行業(yè)的最高雪崩電流水平接受 100% 雪崩測試，以確?？蔀樽羁量痰膽?yīng)用提供最佳解決方案。此系列器件還符合靜電放電 (ESD) 性能的 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)，且已接受超過 3,000 小時的高溫反向偏壓 (HTRB) 測試。