美國北卡羅來納州立大學的研究人員開發(fā)了一種將帶正電荷(p型)的還原氧化石墨烯(rGO)轉(zhuǎn)化為帶負電荷(n型)還原氧化石墨烯的技術，該技術可用于開發(fā)基于還原氧化石墨烯的晶體管，有望在電子設備中得到應用。

石墨烯的導電性非常好但不是半導體，氧化石墨烯像半導體具有帶隙卻導電性差，而還原氧化石墨烯只帶正電荷(p型)，可解決這一問題。北卡羅來納州立大學材料科學與工程系的研究團隊發(fā)明了利用p型rGO制備n型rGO的方法。首先，他們將rGO集成到藍寶石和硅晶片上，然后使用大功率激光脈沖來周期地沖擊晶片上的化學基團。這種沖擊可有效將電子轉(zhuǎn)移，使p型rGO轉(zhuǎn)化為n型rGO。整個過程在室溫和常壓下進行，完成時間小于1/5微秒。這種激光輻射退火方法提供了高度的空間和深度控制，使開發(fā)基于p-n結(jié)的二維石墨烯電子器件成為可能。

這一成果發(fā)表于美國物理聯(lián)合會(AIP)《應用物理》期刊網(wǎng)站上。