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[導(dǎo)讀] 21ic訊,日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機驅(qū)

 21ic訊,日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
 
世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm,封裝則采用Half-Bridge Module,具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面,連續(xù)通電時最大為404A(@25℃),285A(@90℃), 脈沖通電時最大為1500A(@25℃),導(dǎo)通電阻在柵源間電壓為+20V、周圍溫度為25℃時只有5mΩ(標準值)。此外,即使周圍溫度上升至+150℃,導(dǎo)通電阻也只有8.6mΩ(標準值),溫度上升對導(dǎo)通電阻增加的影響非常小。總柵極電荷僅1025nC(標準值),因此十分容易提高開關(guān)頻率。
 
圖1:Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2
 
Cree方面表示,如果使用SiC功率模塊,與使用Si功率的電源裝置相比,由開關(guān)損失引起的功率損耗可降低5倍以上。與采用Si材料IGBT的電源裝置相比,CAS300M12BM2可改善裝置整體的轉(zhuǎn)換效率,而且能將開關(guān)頻率提高,從而能夠縮小外置部件,因此可削減電源裝置整體的體積和重量。在感應(yīng)效率達到99%的同時,CAS300M12BM2在高頻感應(yīng)加熱系統(tǒng)可減少2.5倍的電源模塊數(shù)。CAS300M12BM2的轉(zhuǎn)換效率和性能可使設(shè)計師減少冷卻片和散熱片,降低系統(tǒng)的熱要求,提升兩倍的功率密度并降低系統(tǒng)成本,最終減少了用戶的成本。
 
圖2:使用SiC與Si技術(shù)比較
 
Cree功率和RF產(chǎn)品營銷經(jīng)理MrinalDas表示:"Cree的SiC功率模塊系列還可以為太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和工業(yè)電源等應(yīng)用帶來極大益處。即使設(shè)計人員只是在電動機中用SiC取代硅模塊,SiC的增強性能也可以降低功率耗損和冷卻要求,從而降低動力電子設(shè)備系統(tǒng)的尺寸、重量、復(fù)雜性和總成本"。
 
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