說(shuō)到近年來(lái)移動(dòng)科技領(lǐng)域的發(fā)展，64位和八核已經(jīng)吸引了不少人的眼球。但是今年，采用了新一代工藝制程的SoC和LPDDR4內(nèi)存，其重要性亦不容小覷。LPDDR RAM是“低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存”的縮寫(xiě)，與桌面平臺(tái)的DDR4內(nèi)存相比，面向移動(dòng)平臺(tái)的LPDDR4，其能夠在帶來(lái)等效的性能(速度)的同時(shí)，兼顧更少的能源消耗。

DDR4與LPDDR4的另一個(gè)主要區(qū)別，就是后者的總線位寬要更小一些(當(dāng)然這也是出于功耗方面的妥協(xié))。那么從LPDDR3到LPDDR4，規(guī)格和技術(shù)的進(jìn)步又體現(xiàn)在哪里呢?

與上一代產(chǎn)品相比，LPDDR4的規(guī)范旨在帶來(lái)高達(dá)3200MB/s的雙倍數(shù)據(jù)速率，同時(shí)減少對(duì)移動(dòng)設(shè)備的能源消耗。此外，LPDDR4支持16bit雙通道(總位寬32bit)，而LPDDR3則只有單通道。

核心功耗的減少，得益于縮短了的數(shù)據(jù)路徑，同時(shí)這也讓運(yùn)行速度得到了進(jìn)一步提升。LPDDR4每核心的帶寬為17GB/s，但是也可以根據(jù)需要來(lái)做成更快的雙通道。

說(shuō)到節(jié)能，最簡(jiǎn)單的就是降低運(yùn)行電壓了。LPDDR3的電壓為1.2V，但是LPDDR4已經(jīng)進(jìn)一步降低到了1.1V。此外，新標(biāo)準(zhǔn)還改進(jìn)了低頻節(jié)能模式，因此設(shè)備可以在執(zhí)行簡(jiǎn)單的后臺(tái)任務(wù)的同時(shí)，將始終速度降下來(lái)，以便進(jìn)一步節(jié)能電能。

作為業(yè)務(wù)的兩大巨頭，鎂光和三星都于年內(nèi)將其LPDDR4產(chǎn)品推向市場(chǎng)。在移動(dòng)平臺(tái)的功率限制之內(nèi)，LPDDR4能夠帶來(lái)更快的啟動(dòng)和加載速度。

以鎂光的技術(shù)為例，該公司的LPDDR4內(nèi)存可以運(yùn)行于2133MHz的頻率，在2 x 16bit的雙通道配置下，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到4266 MT/s(遠(yuǎn)超x64下32GB/s標(biāo)準(zhǔn)峰值)。

目前三星出品的LPDDR4內(nèi)存的頻率在1600MHz，剛好可以達(dá)到3200 MT/s，x64下的理論帶寬峰值為25.6GB/s。

“低延遲”(low-latency)內(nèi)存產(chǎn)品的另一個(gè)重要參數(shù)，在游戲或傳送大量數(shù)據(jù)的時(shí)候(比如4K或慢動(dòng)作視頻)，這一點(diǎn)更是尤為重要。

LPDDR4還在容量上取得了飛躍，鎂光早已向移動(dòng)平臺(tái)提供包括8Gb和16Gb的LPDDR4內(nèi)存，換算成GB的話就是除以8，即1GB和2GB。

三星公司不久前也宣布了將以20nm工藝生產(chǎn)8Gb(即1GB) LPDDR4內(nèi)存模組的消息，而且未來(lái)還會(huì)推出24Gb和32Gb(即3GB和4GB)的版本。

對(duì)于廠商來(lái)說(shuō)，通過(guò)更少的模組來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的容量，其成本優(yōu)勢(shì)也會(huì)更加顯著。

應(yīng)用方面，除了帶動(dòng)2K和4K級(jí)別的顯示設(shè)備，LPDDR4還能夠推動(dòng)慢動(dòng)作視頻、人臉識(shí)別、3D攝像頭等新媒體功能。

具體說(shuō)來(lái)就是，用戶將能夠以更高的fps和分辨率來(lái)拍攝慢動(dòng)作視頻，相信這也會(huì)帶動(dòng)廠商普及2000萬(wàn)像素級(jí)別的攝像頭。

在當(dāng)前已經(jīng)上市的手機(jī)產(chǎn)品中，三星已經(jīng)在自家的Galaxy S6和S6 Edge上部署了LPDDR4內(nèi)存(以及Exynos 7420 SoC)，而LG G Flex 2等機(jī)型也會(huì)提供LPDDR4 + 高通驍龍810 SoC的組合。