美國東部時間8月18日,IBM宣布其聯(lián)合了AMD,意法半導體等研發(fā)的22納米SRAM(靜態(tài)隨機存取內存)芯片制造工藝已取得成功,該芯片將會在其位于紐約州的300毫米研發(fā)工廠進行測試和試產(chǎn)。
據(jù)悉,AMD本次發(fā)布的22納米技術領先當前市場芯片最高工藝兩倍,這一技術已經(jīng)打破上一代的半導體芯片密度界限。
目前市場上所銷售的芯片產(chǎn)品最高工藝為45納米工藝,而Intel研發(fā)的世界首款32納米工藝的芯片預計將于本周在美國的英特爾2008年秋季信息技術峰會上面世。