所謂的“賽道”之原理，是在絕緣基板上制作一個納米線回圈(nanowire loop)；沿著該賽道，包括一個傳授(imparting)磁自旋的寫入頭，一個讀出自旋狀態(tài)的讀取頭，以及將位元沿著賽道轉(zhuǎn)換至下一值(next value)的脈沖產(chǎn)生器。實際上，每個賽道就像是硬碟機上的單一磁軌──除了不以旋轉(zhuǎn)磁碟的方式來讀取下一值，磁疇之間的壁壘也轉(zhuǎn)變成環(huán)繞著該封閉回路，以響應電流脈沖。

透過一款精心打造的儀器，現(xiàn)在IBM已經(jīng)能詳細描述磁疇壁能夠環(huán)繞磁軌的確切機制，并收集最終能讓 IBM將賽道記憶體商業(yè)化的參數(shù)資料。在該公司研究團隊驚人的發(fā)現(xiàn)中，盡管“賽道”上并沒有原子環(huán)繞，環(huán)繞著該賽道的磁疇壁仍擁有慣性與動能──就像它們是有質(zhì)量的?！拔覀儸F(xiàn)在更加了解電子(electrons)是如何傳遞動能給磁疇壁?！盤arkin表示。

IBM所研發(fā)的賽道記憶體，將磁疇壁沿著一條納米線移動，就像它們繞著納米線“賽道”競速

如果賽道上顯示出真正的無質(zhì)量運動(mass-less motion)，將意味著磁疇壁環(huán)繞著該賽道的近瞬移動(nearly instantaneous movement)是對電流脈沖的回應。但研究人員反而在脈沖開始時發(fā)現(xiàn)了一個顯著的延遲(數(shù)納秒)，在脈沖停止時又有一個同等級的微米(micron) 級明顯過沖(overshoot)；幸好這兩種效應互相抵銷了。

“我們發(fā)現(xiàn)，磁疇壁在電流脈沖開始時會花一些時間開始移動，但那些時間又會在電流脈沖結(jié)束時，被帶著它們停止移動的距離所互補──所以它們移動的總距離是一樣的。”Parkin表示：“要將磁疇壁沿著賽道移動一段特定距離，我們要做的就只有提供一道長度與該距離成正比的電流脈沖?！?/FONT>