【導(dǎo)讀】隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件市場，采訪了曾在德國英飛凌大幅提高了該業(yè)務(wù)的業(yè)績并負(fù)責(zé)該公司戰(zhàn)略發(fā)展、并購及營銷的管理委員會成員阿瓦加伊•米塔爾(ArunjaiMittal)。

摘要：  隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件市場，采訪了曾在德國英飛凌大幅提高了該業(yè)務(wù)的業(yè)績并負(fù)責(zé)該公司戰(zhàn)略發(fā)展、并購及營銷的管理委員會成員阿瓦加伊•米塔爾(ArunjaiMittal)。

關(guān)鍵字：  功率元器件，  SiC，  英飛凌，  ArunjaiMittal

隨著降低環(huán)境負(fù)荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進(jìn)一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現(xiàn)行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發(fā)展的功率元器件市場，采訪了曾在德國英飛凌大幅提高了該業(yè)務(wù)的業(yè)績并負(fù)責(zé)該公司戰(zhàn)略發(fā)展、并購及營銷的管理委員會成員阿瓦加伊•米塔爾(ArunjaiMittal)。

――您如何看待功率元器件市場?

米塔爾：功率元器件市場今后還將繼續(xù)增長。但增長空間會因采用功率元器件的各用途情況的不同而異。

――SiC作為新一代材料而備受關(guān)注。請介紹一下其優(yōu)勢。

米塔爾：SiC的主要優(yōu)勢是，可以提高效率，并提高輸出功率密度。而且，還適合高溫運行，所以冷卻機構(gòu)可簡化。由于還能實現(xiàn)高速開關(guān)動作，因此被動元器件的尺寸可縮小。

――SiC市場將會如何?

米塔爾：我認(rèn)為SiC市場今后還會擴大。然而因材料費較高，單個元器件還很昂貴。因此，如果不在采用SiC功率元器件會在多大程度上改變系統(tǒng)的成本這一點上得到用戶的認(rèn)可，就不可能很快擴大應(yīng)用。例如，雖然元器件成本升高，但通過使用SiC而使冷卻機構(gòu)得以簡化，使系統(tǒng)整體的成本與原來相同，或者低于以前。因冷卻機構(gòu)的簡化，所用的銅等材料也可減少。據(jù)認(rèn)為今后地球上銅、鐵及石油等多種資源的供求形勢會比現(xiàn)在還要嚴(yán)峻。惟其如此，更需要盡量減少冷卻機構(gòu)等使用的部材，而在需要降低整體系統(tǒng)成本的用途上，我認(rèn)為可以采用SiC。

――請介紹一下SiC適合的用途。

米塔爾：SiC適合的領(lǐng)域，有前述那樣希望減少冷卻機構(gòu)的用途、要求高轉(zhuǎn)換效率及輸出功率密度的用途，以及要求以高頻率開關(guān)的用途等。例如，光伏發(fā)電系統(tǒng)就適合采用SiC。這是因為該領(lǐng)域要求盡量提高效率。除了提高太陽能電池板的光電轉(zhuǎn)換效率之外，還要求轉(zhuǎn)換并輸送電力的部分降低損耗。這里可發(fā)揮SiC的低損耗性作用。

――最近，貴公司決定推出SiC制JFET。

米塔爾：我們數(shù)年前就開始在提供SiC制JFET的樣品。此次終于推出了產(chǎn)品。決定推出產(chǎn)品的原因是，我們在SiC方面積累了不少技術(shù)經(jīng)驗，且正好趕上了制造成本比以前還要低的時機。JFET與MOSFET相比，最大的優(yōu)勢在于，因去掉了柵極氧化膜，所以不會發(fā)生因之而起的可靠性降低。

――在SiC備受關(guān)注的同時，新涉足用SuperJunction(SJ)構(gòu)造的Si制MOSFET業(yè)務(wù)的企業(yè)在增加。

米塔爾：節(jié)能領(lǐng)域是一個增長市場。因此，從事SJ型MOSFET業(yè)務(wù)的企業(yè)也在不斷增加。傳統(tǒng)型MOSFET的封裝面積有限，在這樣的面積中制作損耗更小的元器件存在限制。因此，采用SJ構(gòu)造的企業(yè)才會不斷增加。我想對新涉足SJ構(gòu)造MOSFET業(yè)務(wù)的企業(yè)說聲“Goodluck!”。這句話含有兩層意思。一個是希望這種MOSFET能夠有助于解決地球能源問題。另一個是希望這些企業(yè)“好好干”。但我們(英飛凌)在SJ構(gòu)造MOSFET方面擁有豐富的經(jīng)驗。

――關(guān)于Si制IGBT，有意見認(rèn)為性能提高的潛力變小了。

米塔爾：IGBT性能的提高確實被認(rèn)為正在接近極限。但或許會發(fā)生“硅反擊戰(zhàn)”，而不是星球大戰(zhàn)“帝國反擊戰(zhàn)”。