【導(dǎo)讀】先進(jìn)的SiC工藝和超薄晶圓是英飛凌提升功率器件效率的兩條途徑，至于大家談?wù)撦^多的GaN工藝，Mittal表示，英飛凌會(huì)保持研發(fā)與跟蹤，也提供小批量生產(chǎn)，但是基于目前的成本太高，還不適合于大規(guī)模量產(chǎn)。英飛凌會(huì)持續(xù)對(duì)以上兩個(gè)工藝進(jìn)行投資，推動(dòng)功率器件的創(chuàng)新。

摘要：  先進(jìn)的SiC工藝和超薄晶圓是英飛凌提升功率器件效率的兩條途徑，至于大家談?wù)撦^多的GaN工藝，Mittal表示，英飛凌會(huì)保持研發(fā)與跟蹤，也提供小批量生產(chǎn)，但是基于目前的成本太高，還不適合于大規(guī)模量產(chǎn)。英飛凌會(huì)持續(xù)對(duì)以上兩個(gè)工藝進(jìn)行投資，推動(dòng)功率器件的創(chuàng)新。

關(guān)鍵字：  SiC工藝，  超薄晶圓，  英飛凌，  功率器件

除了在SiC工藝上的領(lǐng)先外，英飛凌在超薄晶圓片工藝上也不斷開拓，處于領(lǐng)先地位。作為IGBT的領(lǐng)軍者，英飛凌一直進(jìn)行持續(xù)不斷地投資與創(chuàng)新，其中包括投資12英寸模擬晶圓廠和超薄晶圓?！拔覀兠磕暧谐^9億歐元的投入，主要是研發(fā)與生產(chǎn)?！?/P>

Mittal表示。IGBT由于雙面都是有源的，因此厚度決定了開關(guān)損耗，英飛凌的超薄晶圓技術(shù)不斷提升，目前已開發(fā)出70μm厚度的晶圓(300mm)，將開關(guān)損耗降至最低，而根據(jù)英飛凌的Roadmap，未來晶圓將進(jìn)一步縮減至40μm。“相對(duì)應(yīng)的，對(duì)手的IGBT還在采用120μm的晶園?！彼f。

先進(jìn)的SiC工藝和超薄晶圓是英飛凌提升功率器件效率的兩條途徑，至于大家談?wù)撦^多的GaN工藝，Mittal表示，英飛凌會(huì)保持研發(fā)與跟蹤，也提供小批量生產(chǎn)，但是基于目前的成本太高，還不適合于大規(guī)模量產(chǎn)。英飛凌會(huì)持續(xù)對(duì)以上兩個(gè)工藝進(jìn)行投資，推動(dòng)功率器件的創(chuàng)新。

這里有還一個(gè)重要信息要公示一下，也就是從今年十月一日開始，現(xiàn)任CEO Peter Bauer將由于身體健康方面的原因退休，新的CEO為在英飛凌服務(wù)多年的Reinhard Ploss博士，并會(huì)繼續(xù)將高能效、交通與安全作為英飛凌發(fā)展的三大重點(diǎn)領(lǐng)域。