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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù),預(yù)計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴(kuò)大搶

【導(dǎo)讀】聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù),預(yù)計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

摘要:  聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù),預(yù)計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

關(guān)鍵字:  14奈米FinFET制程技術(shù),  聯(lián)電,  應(yīng)用處理器

聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù),預(yù)計效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,14奈米FinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運(yùn)算市場的最佳利器。

聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20奈米制程以下的微縮過程中,勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實現(xiàn),而此一技術(shù)無論是微影機(jī)臺或人力研發(fā)等成本都相當(dāng)高昂,因此造成許多出貨量不大的IC設(shè)計商不愿投資大筆資金導(dǎo)入,間接使20奈米市場需求無法擴(kuò)大。

具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù),盡管仍無法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本,但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能,降低IC設(shè)計商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來的成本沖擊,因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術(shù)。

孫世偉進(jìn)一步指出,在IBMFinFET技術(shù)授權(quán)的基礎(chǔ)下,聯(lián)電將跳過20奈米制程,直接跨入14奈米FinFET制程技術(shù),藉此為通訊與行動運(yùn)算領(lǐng)域客戶提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中,預(yù)計2014年初可完成驗證,并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

然而,相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14奈米FinFET,聯(lián)電量產(chǎn)時程顯然稍慢,如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點。孫世偉強(qiáng)調(diào),盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚,但相對FinFET制程所需的機(jī)臺制造技術(shù)亦較為成熟,且設(shè)備價格也較為便宜,再加上與IBM技術(shù)交流等助益,未來量產(chǎn)品質(zhì)與時程都將可較競爭對手更符合客戶需求。

另一方面,聯(lián)電28奈米產(chǎn)品線則可望于年底量產(chǎn),并于明年第一季開始貢獻(xiàn)營收。孫世偉補(bǔ)充,首波28奈米Porting產(chǎn)品在經(jīng)過幾個月元件及制程參數(shù)調(diào)整后,良率已獲得顯著提升,且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28奈米后閘極(Gate-last)高介電質(zhì)金屬閘極(HKMG)制程的行動通訊產(chǎn)品,并陸續(xù)與相關(guān)客戶密切合作中。

據(jù)悉,目前聯(lián)電晶圓廠產(chǎn)能利用率為84%,其中,40奈米先進(jìn)制程比重持續(xù)提升中,且平均銷售單價較上季攀升,并已刺激營業(yè)收入向上成長,而營收貢獻(xiàn)亦從第二季9%成長至第三季的13%,年底前則可望到達(dá)15%。

除標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外,聯(lián)電也開始提供適用于觸控晶片領(lǐng)域的解決方案--embeddedFlash特殊制程技術(shù)平臺,并已有數(shù)家主流觸控廠商開始采用,而這些特殊制程技術(shù)也可望為聯(lián)電營收成長注入全新動能。

此外,對于各大晶圓廠皆預(yù)期第四季與明年初營收成長將趨緩,孫世偉表示,現(xiàn)今晶圓代工制造正處在庫存調(diào)整及景氣循環(huán)周期中,聯(lián)電預(yù)估此波庫存調(diào)整將持續(xù)至明年初,景氣回溫的脈動將取決于明年總體經(jīng)濟(jì)、終端產(chǎn)品市場需求與新產(chǎn)品交替力道強(qiáng)弱;而公司未來將持續(xù)擴(kuò)大客戶層面,改善產(chǎn)品組合,并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調(diào)配的彈性來降低周期性波動所帶來的沖擊。

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