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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率,更可減少所需的電容和感測器數(shù)量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。 摘要: SiC功率元件具高頻和耐高溫特性

【導(dǎo)讀】SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率,更可減少所需的電容和感測器數(shù)量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。

摘要:  SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率,更可減少所需的電容和感測器數(shù)量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。

關(guān)鍵字:  逆變器,感測器,太陽能

碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽能(PV)逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率,更可減少所需的電容和感測器數(shù)量,已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。

以寬能隙(Wide Bandgap, WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)制造的功率元件(Power Device),相當(dāng)適合高功率、高頻率及高溫環(huán)境的應(yīng)用,近來已有許多逆變器制造商導(dǎo)入產(chǎn)品設(shè)計,推升SiC元件產(chǎn)值于2012年達到7,600萬美元,發(fā)展至2020年更將上看2億美元。

另外,業(yè)界也普遍認(rèn)為SiC元件有機會在電動車(EV)市場崛起,但目前仍充滿不確定性,主因系不清楚電動車制造商是否會采用,以及何時導(dǎo)入,因此對SiC元件大量商用的時機,業(yè)界仍沒有確切時間點,且技術(shù)上還有一些問題。

隨著SiC元件技術(shù)發(fā)展、市場應(yīng)用逐漸成熟,制造重心則將逐漸從美國、歐洲轉(zhuǎn)移至日本和其他亞洲國家(圖1),以因應(yīng)市場需求。

具高頻/耐高溫特性 SiC獲逆變器廠青睞

第一個采用SiC元件的是伺服器制造商,主要應(yīng)用于高階伺服器的電源供應(yīng)器功率因素校正(PFC),太陽能逆變器(Inverter)則是第二個廣泛導(dǎo)入SiC元件的產(chǎn)品,車用市場尚未見其蹤跡。

未來,SiC元件在逆變器應(yīng)用將有不少成長空間,至2015年可望成為主要出貨市場(圖2),雖目前每家逆變器制造商產(chǎn)品線的幾十個型號中,只有一至兩個采用SiC,滲透率相當(dāng)?shù)?但從反面角度思考,這代表SiC在該應(yīng)用領(lǐng)域還有很多發(fā)揮空間。

圖1 2002~2020年SiC元件產(chǎn)值區(qū)域性占比預(yù)測

部分逆變器業(yè)者已同時推出采用SiC二極體、IGBT或MOSFET的產(chǎn)品陣容,更有少數(shù)提供全系列SiC逆變器。不過,現(xiàn)階段SiC逆變器在市面上僅能稱作試水溫的產(chǎn)品,相關(guān)業(yè)者僅簡單替換傳統(tǒng)硅元件,花最少的設(shè)計工夫得到一些轉(zhuǎn)換效率的提升,意味著SiC的優(yōu)勢還未完全被利用;因此,下一階段逆變器業(yè)者已計劃針對SiC高頻率及耐高溫特性,全面革新系統(tǒng)設(shè)計架構(gòu),以減少所需的電容和感測器數(shù)量,進一步提高產(chǎn)品性價比。

圖2 2010~2020年SiC元件應(yīng)用領(lǐng)域變化

Yole Developpement已與System Plus Consulting合作,剖析SiC取代逆變器中傳統(tǒng)硅元件帶來的優(yōu)勢,其中,最顯著的效能改善在于可將標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換頻率由12KHz提升至32KHz,如此一來,在同等效能的情況下,50kW SiC逆變器到2020年將比硅逆變器還便宜,有助縮短SiC投資回收的時間;而此一優(yōu)勢亦有助逆變器廠商加速導(dǎo)入SiC元件,將使該元件產(chǎn)值在2020 年達到2億美元。

除太陽能逆變器外,電動車、油電混合車(HEV)充電轉(zhuǎn)換器未來亦可望擴大導(dǎo)入SiC元件,進一步縮減系統(tǒng)體積與重量。

電動車認(rèn)證牛步 SiC應(yīng)用發(fā)展陷迷霧

盡管SiC功率元件在車用市場極具成長潛力,然而,汽車認(rèn)證可能要花費高達5年的時間,所以即使電動車及油電混合車的充電轉(zhuǎn)換器等認(rèn)證正在進行,SiC元件在2015年前能否成功取得車廠青睞仍未可知。

除車廠認(rèn)證時程緩慢外,SiC也面臨其他耐高壓元件崛起的挑戰(zhàn),包括硅超接面金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(Super Junction MOSFET)、絕緣閘雙極電晶體(IGBT),以及寬能隙氮化鎵(GaN)元件等,產(chǎn)品定位均與SiC相近。

因此,Yole Developpement于今年5月發(fā)表的最新SiC產(chǎn)業(yè)分析報告中,即預(yù)測未來SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的兩個狀況,較為樂觀的情況是SiC元件自2015年起,開始用于電動車或油電混合車上,并于2020年瓜分既有的IGBT市場占有率達11%;至于悲觀的情況則是2017~2018年才開始被車廠導(dǎo)入電動車,因而使SiC元件供應(yīng)商轉(zhuǎn)戰(zhàn)太陽能逆變器市場,并在2020年成為首要應(yīng)用。

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