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[導(dǎo)讀]就在人們還在為時速500Km/h的國內(nèi)高鐵實驗列車上線開跑而感到高興的時候,中國的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車型。據(jù)《人民日報》報道,中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線

就在人們還在為時速500Km/h的國內(nèi)高鐵實驗列車上線開跑而感到高興的時候,中國的工程師們已經(jīng)在籌劃速度更快的車型。據(jù)《人民日報》報道,中國南車株洲基地建造的國內(nèi)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)芯片生產(chǎn)線,日前通過專家鑒定,將于今年6月全線投產(chǎn)。這意味著我國打破了國外技術(shù)壟斷,掌握了高速列車最核心的技術(shù),中國高鐵將用上“中國芯”。中國南車生產(chǎn)的高鐵列出采用自主開發(fā)的8英寸芯片,在試驗中跑出了600公里以上的時速。中國南車也成為國內(nèi)唯一一家全面掌握該芯片技術(shù)研發(fā)、模塊封裝測試和系統(tǒng)應(yīng)用的企業(yè)。值得注意的是,此次600公里時速只是實驗測試成績,實際中到底能夠以多高的速度運營,還要看配套軌道的建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)和各個線路的運營要求。

中國的500km/h高鐵實驗列車上路開跑

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IGBT是一個發(fā)熱源,其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗,損耗越大,發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的,有開通時間與關(guān)斷時間。

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在功率電子系統(tǒng)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的驅(qū)動電路設(shè)計直接影響開關(guān)損耗、電磁干擾(EMI)和器件可靠性。門極電阻(Rg)與鉗位二極管(Dclamp)作為驅(qū)動電路的核心元件,其參數(shù)優(yōu)化需平衡開關(guān)速度、電壓尖峰抑...

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美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。

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中國上海,2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,與中國知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司(以下簡稱“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交...

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6月23日消息,據(jù)媒體報道,印度連接西部城市艾哈邁達巴德與孟買的高速鐵路項目正面臨新的轉(zhuǎn)折。這條全長500公里、設(shè)計運行時間約2小時的高鐵線路,作為日印戰(zhàn)略合作的象征性工程,近期因技術(shù)升級和建設(shè)延期等問題再次引發(fā)關(guān)注。

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在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,功率器件作為核心 “大腦”,其重要性不言而喻?;仡欉^往,IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車的上半場,而如今,SiC 正加速上車,開啟新的發(fā)展周期。

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【2025年6月18日, 德國慕尼黑訊】隨著純電動汽車(BEV)和插電式混合動力電動汽車(PHEV)銷量的快速增長,電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計到 2030 年,電動汽車的生產(chǎn)比例將實現(xiàn)兩位數(shù)增長,從2024年的2...

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