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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告,此次集采涉及全國31個省市,采購規(guī)模約為20.7萬個基站,共計55萬載扇。與此同時,中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采,規(guī)模為

【導(dǎo)讀】中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告,此次集采涉及全國31個省市,采購規(guī)模約為20.7萬個基站,共計55萬載扇。與此同時,中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采,規(guī)模為20.65萬部。

摘要:  中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告,此次集采涉及全國31個省市,采購規(guī)模約為20.7萬個基站,共計55萬載扇。與此同時,中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采,規(guī)模為20.65萬部。

中國移動日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無線主設(shè)備的招標(biāo)公告,此次集采涉及全國31個省市,采購規(guī)模約為20.7萬個基站,共計55萬載扇。與此同時,中移動還啟動了2013年首次TD-LTE 4G終端集采,規(guī)模為20.65萬部。業(yè)界普遍認為,受蜂窩網(wǎng)絡(luò)部署的驅(qū)動,無線基礎(chǔ)設(shè)施將有望在以下幾個方面出現(xiàn)重大變革,包括高集成度、更高的靈活性、更強的可擴展性、更高的性能和更高效率/更低功耗,從而幫助運營商提高網(wǎng)絡(luò)容量和覆蓋率、降低運營成本和設(shè)備成本所面臨的挑戰(zhàn)。

作為重點關(guān)注TD-LTE無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴展產(chǎn)品,恩智浦日前推出了全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件,據(jù)稱也是全球最小最經(jīng)濟的解決方案,用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設(shè)備可同時支持多達5個TD-LTE載波,并提供覆蓋全波段(2.5-2.7 GHz)的高效率。

而在恩智浦半導(dǎo)體(NXP)大中華區(qū)無線通訊及射頻業(yè)務(wù)總經(jīng)理陳平路看來,隨著LTE技術(shù)的不斷演進,未來,滿足寬帶和多種模式兼容,高密度(低CDS)視頻帶寬和更高性能的RF功率器件將成為必須。同時,為進一步降低成本,塑料包裝和高密度、小型封裝RF功率器件產(chǎn)品也會有更多市場需求。

Gen8+產(chǎn)品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料(air cavity plastic, ACP)封裝。相比陶瓷封裝,ACP技術(shù)更加經(jīng)濟、靈活,還允許使用改進型無源器件,通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。此外,Gen8+還加入了大量其他封裝選項,包括QFN、OMP和陶瓷封裝。

Gen8+產(chǎn)品組合最初設(shè)計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應(yīng)用。作為現(xiàn)有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴展,Gen8+增加了各個波段功耗水平的范圍,從5瓦到240瓦不等?!盎揪G色節(jié)能、小型化的需求,轉(zhuǎn)化到功率放大器上,就是如何實現(xiàn)更高的效率和集成度?!标惼铰氛f。

他同時強調(diào)稱,NXP在PA領(lǐng)域的優(yōu)勢首先得益于其第8代LDMOS技術(shù),“新技術(shù)可以提高Doherty放大器的功率、效率,降低內(nèi)存占用,獲得更好的預(yù)失真性能,甚至可以將Doherty完全集成到單個功率晶體管封裝結(jié)構(gòu)中。”這意味著,工程師無需再對這類特別復(fù)雜電路設(shè)計擔(dān)心,所有分離器、延遲線路和混合器已經(jīng)包含在設(shè)計之中,整個設(shè)計過程可以簡化成AB類電路設(shè)計。

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV

針對目前運營商對于基站快速交付的要求,陳平路稱NXP已經(jīng)在三方面做好了應(yīng)對的準備。首先,推出集成Doherty和多種Doherty參考電路,類似交鑰匙工程,減小設(shè)計的復(fù)雜程度,令客戶加快產(chǎn)品上市的時間;其次,倡導(dǎo)“隨時更替(Drop in Replacement)”的設(shè)計概念,即未來LDMOS能夠沿用目前客戶的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計,同時帶來性能方面的提高,令客戶的設(shè)計周期將大大縮短;最后,由于RF功率器件的重要性和生產(chǎn)的復(fù)雜性,供貨量有限是國內(nèi)外市場,尤其是多種3G/4G制式快速建網(wǎng)的一個瓶頸,因此必須迅速擴大LDMOS的產(chǎn)能,以滿足市場需求。

ABI提供的數(shù)據(jù)顯示,2012年恩智浦在RF 功率晶體管器件市場排名第二,市場份額約為22%。陳平路表示,公司將繼續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有LDMOS的工作帶寬設(shè)計,并開發(fā)新的半導(dǎo)體技術(shù)比如GaN,這對于多制式無線接入、軟件定義無線電和等效的網(wǎng)絡(luò)平滑演進尤為重要。同時,不斷提高LDMOS的功率容量和視頻帶寬等指標(biāo),這對于支持以HSPA/LTE為代表的多載波以及對應(yīng)的數(shù)據(jù)流更為關(guān)鍵。

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