摘要：  中國(guó)移動(dòng)日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無(wú)線主設(shè)備的招標(biāo)公告，此次集采涉及全國(guó)31個(gè)省市，采購(gòu)規(guī)模約為20.7萬(wàn)個(gè)基站，共計(jì)55萬(wàn)載扇。與此同時(shí)，中移動(dòng)還啟動(dòng)了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為20.65萬(wàn)部。

中國(guó)移動(dòng)日前在其官方網(wǎng)站正式公布了2013年TD-LTE無(wú)線主設(shè)備的招標(biāo)公告，此次集采涉及全國(guó)31個(gè)省市，采購(gòu)規(guī)模約為20.7萬(wàn)個(gè)基站，共計(jì)55萬(wàn)載扇。與此同時(shí)，中移動(dòng)還啟動(dòng)了2013年首次TD-LTE 4G終端集采，規(guī)模為20.65萬(wàn)部。業(yè)界普遍認(rèn)為，受蜂窩網(wǎng)絡(luò)部署的驅(qū)動(dòng)，無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施將有望在以下幾個(gè)方面出現(xiàn)重大變革，包括高集成度、更高的靈活性、更強(qiáng)的可擴(kuò)展性、更高的性能和更高效率/更低功耗，從而幫助運(yùn)營(yíng)商提高網(wǎng)絡(luò)容量和覆蓋率、降低運(yùn)營(yíng)成本和設(shè)備成本所面臨的挑戰(zhàn)。

作為重點(diǎn)關(guān)注TD-LTE無(wú)線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品，恩智浦日前推出了全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，據(jù)稱也是全球最小最經(jīng)濟(jì)的解決方案，用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設(shè)備可同時(shí)支持多達(dá)5個(gè)TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段(2.5-2.7 GHz)的高效率。

而在恩智浦半導(dǎo)體(NXP)大中華區(qū)無(wú)線通訊及射頻業(yè)務(wù)總經(jīng)理陳平路看來(lái)，隨著LTE技術(shù)的不斷演進(jìn)，未來(lái)，滿足寬帶和多種模式兼容，高密度(低CDS)視頻帶寬和更高性能的RF功率器件將成為必須。同時(shí)，為進(jìn)一步降低成本，塑料包裝和高密度、小型封裝RF功率器件產(chǎn)品也會(huì)有更多市場(chǎng)需求。

Gen8+產(chǎn)品組合的一項(xiàng)突破性功能是采用了空腔塑料(air cavity plastic， ACP)封裝。相比陶瓷封裝，ACP技術(shù)更加經(jīng)濟(jì)、靈活，還允許使用改進(jìn)型無(wú)源器件，通過(guò)降低功耗并增加增益和效率來(lái)提升性能。此外，Gen8+還加入了大量其他封裝選項(xiàng)，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。

Gen8+產(chǎn)品組合最初設(shè)計(jì)用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應(yīng)用。作為現(xiàn)有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴(kuò)展，Gen8+增加了各個(gè)波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等。“基站綠色節(jié)能、小型化的需求，轉(zhuǎn)化到功率放大器上，就是如何實(shí)現(xiàn)更高的效率和集成度?！标惼铰氛f(shuō)。

他同時(shí)強(qiáng)調(diào)稱，NXP在PA領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)首先得益于其第8代LDMOS技術(shù)，“新技術(shù)可以提高Doherty放大器的功率、效率，降低內(nèi)存占用，獲得更好的預(yù)失真性能，甚至可以將Doherty完全集成到單個(gè)功率晶體管封裝結(jié)構(gòu)中。”這意味著，工程師無(wú)需再對(duì)這類特別復(fù)雜電路設(shè)計(jì)擔(dān)心，所有分離器、延遲線路和混合器已經(jīng)包含在設(shè)計(jì)之中，整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程可以簡(jiǎn)化成AB類電路設(shè)計(jì)。

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)全新Gen8+ LDMOS#管BLC8G27LS-160AV

針對(duì)目前運(yùn)營(yíng)商對(duì)于基站快速交付的要求，陳平路稱NXP已經(jīng)在三方面做好了應(yīng)對(duì)的準(zhǔn)備。首先，推出集成Doherty和多種Doherty參考電路，類似交鑰匙工程，減小設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度，令客戶加快產(chǎn)品上市的時(shí)間;其次，倡導(dǎo)“隨時(shí)更替(Drop in Replacement)”的設(shè)計(jì)概念，即未來(lái)LDMOS能夠沿用目前客戶的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，同時(shí)帶來(lái)性能方面的提高，令客戶的設(shè)計(jì)周期將大大縮短;最后，由于RF功率器件的重要性和生產(chǎn)的復(fù)雜性，供貨量有限是國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)，尤其是多種3G/4G制式快速建網(wǎng)的一個(gè)瓶頸，因此必須迅速擴(kuò)大LDMOS的產(chǎn)能，以滿足市場(chǎng)需求。

ABI提供的數(shù)據(jù)顯示，2012年恩智浦在RF 功率晶體管器件市場(chǎng)排名第二，市場(chǎng)份額約為22%。陳平路表示，公司將繼續(xù)優(yōu)化現(xiàn)有LDMOS的工作帶寬設(shè)計(jì)，并開(kāi)發(fā)新的半導(dǎo)體技術(shù)比如GaN，這對(duì)于多制式無(wú)線接入、軟件定義無(wú)線電和等效的網(wǎng)絡(luò)平滑演進(jìn)尤為重要。同時(shí)，不斷提高LDMOS的功率容量和視頻帶寬等指標(biāo)，這對(duì)于支持以HSPA/LTE為代表的多載波以及對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)流更為關(guān)鍵。