由半導(dǎo)體研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所資助的一個研發(fā)團隊日前宣布，已經(jīng)開發(fā)出一種新穎的自組裝技術(shù)，該技術(shù)之前僅在實驗室進行實驗，但現(xiàn)在已經(jīng)能針對14nm半導(dǎo)體工藝完善地建立所需的不規(guī)則圖案了。

藉由解決芯片微縮過程中一項艱難的光刻挑戰(zhàn)──即連接半導(dǎo)體和基板的微型接觸過孔──這些斯坦福大學(xué)(StanfordUniversity)的研究人員展示了一款22nm的實作電路，聲稱可朝14nm轉(zhuǎn)移，而且還能直接朝10nm以下節(jié)點發(fā)展。

“雖然也有其他研究單位證實了自組裝的規(guī)則圖案，”負(fù)責(zé)帶領(lǐng)斯坦福大學(xué)SRC先導(dǎo)研究團隊的PhilipWong說。“然而，這是首次針對未來次22nm芯片上的標(biāo)準(zhǔn)單元庫，成功地運用定向自組裝(DSA)建構(gòu)所需的關(guān)鍵接觸孔。

Wong的研究小組所開發(fā)的半導(dǎo)體不僅僅是測試架構(gòu)，它是一款真正的22nm的實作電路，展示了DSA可用在未來的邏輯或存儲器芯片中所需的任何不規(guī)則圖案。該研究小組還證明了他們已經(jīng)能應(yīng)對模式中的缺陷問題，而且能維持整個晶圓的高分辨率和超精細功能。

“我們看到了Wong針對先進工藝節(jié)點所需的接觸過孔所獲得的關(guān)鍵性進展，而這正是當(dāng)前業(yè)界面臨的最艱困挑戰(zhàn)，”SRC的納米制造科學(xué)主管BobHavemann說。“Wong還使用了環(huán)保材料來進行開發(fā)，這也是另一個需要克服的障礙。”

斯坦福大學(xué)首次使用了標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)來為需要建構(gòu)接觸過孔的區(qū)域形成圖案，使用的線寬可以是最終接觸孔尺寸的兩倍。如果接觸孔對的間距是22nm，那么模版便可能會蝕刻出一個50nm長的橢圓型壓痕。接下來，第二步驟是在晶圓上沉積自組裝嵌段共聚物(block-copolymer)，而且只活化壓入?yún)^(qū)域(indentedareas)。透過精心制定共同聚合物的兩個部分，便可自組裝到需要以極密集間距蝕刻22nm過孔的精確圖案位置。

“根據(jù)目前的展示，我們已經(jīng)能夠蝕刻22nm孔的不規(guī)則圖案了，”該研究團隊成員LindaHeYi說。“不過，我們目前的共聚物(copolymer)已經(jīng)能處理小至14nm的圖案中過孔。”

在涂層和蝕刻工藝中使用的溶劑是聚乙二醇乙醚醋酸脂，這是公認(rèn)可取代傳統(tǒng)溶劑的綠色替代產(chǎn)品。其它正在進行中的SRC專案也正藉由改善不同的聚合物配方，朝使用綠色材料將定向自組裝技術(shù)推廣到10nm以下的目標(biāo)邁進。

這項研究專案同時獨得美國國家科學(xué)基金會(NSF)提供的資金挹注。