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[導(dǎo)讀]載波聚合(CA)功能為射頻元件所帶來(lái)的多頻多模需求,讓功率放大器、天線開(kāi)關(guān)、低雜訊放大器等射頻元件必須涵蓋較以往更多的頻段處理通道,單位成本因而增加,因此許多射頻元件商正積極尋求更高性價(jià)比的方案;其中,導(dǎo)

載波聚合(CA)功能為射頻元件所帶來(lái)的多頻多模需求,讓功率放大器、天線開(kāi)關(guān)、低雜訊放大器等射頻元件必須涵蓋較以往更多的頻段處理通道,單位成本因而增加,因此許多射頻元件商正積極尋求更高性價(jià)比的方案;其中,導(dǎo)入CMOS制程已成為一股明朗可見(jiàn)的趨勢(shì)。

高通(Qualcomm)資深行銷(xiāo)總監(jiān)Carson表示,射頻前端系統(tǒng)的主控制端主要還是在于數(shù)據(jù)機(jī)平臺(tái),而目前LTE數(shù)據(jù)機(jī)早已普遍采用CMOS制程,因此若射頻前端系統(tǒng)亦能導(dǎo)入CMOS制程,將大幅提高LTE平臺(tái)控制介面的整合度。

事實(shí)上,射頻元件商正設(shè)法以CMOS制程為基礎(chǔ),開(kāi)發(fā)出效能媲美傳統(tǒng)砷化鎵(GaAs)元件的解決方案,以符合高階LTE行動(dòng)裝置對(duì)載波聚合的規(guī)格需求;而在高通RF360逐漸打響名號(hào)之下,CMOS射頻元件的聲勢(shì)正在逐漸看漲,市場(chǎng)關(guān)注度也顯著提升。

RFaxis行銷(xiāo)與應(yīng)用工程副總裁錢(qián)永喜補(bǔ)充,GaAs是一種化合物半導(dǎo)體,產(chǎn)能及價(jià)格波動(dòng)大,相對(duì)而言,以矽(Silicon)制程為基礎(chǔ)的CMOS在制程技術(shù)及原物料供應(yīng)上都較為穩(wěn)定,且價(jià)格更便宜,因而逐漸受到市場(chǎng)青睞;而且,透過(guò)平均功率追蹤(APT)、封包追蹤(ET)、數(shù)位預(yù)失真(Digital Pre Distortion, DPD)、天線調(diào)諧(Antenna Tuner)等技術(shù)的協(xié)助,CMOS解決方案已漸漸能滿足載波聚合對(duì)線性及功耗的需求。

目前除了高通是CMOS射頻元件的主要推手之外,包括RFaxis、英飛凌(Infineon)等廠商都早已投入CMOS射頻前端元件開(kāi)發(fā),如英飛凌的開(kāi)關(guān)器已率先導(dǎo)入CMOS制程。

英飛凌電源管理及多元電子事業(yè)處經(jīng)理黃正宇表示,英飛凌目前以CMOS制程生產(chǎn)的天線開(kāi)關(guān),在線性度、插入損耗(Insertion Loss)等性能表現(xiàn)上,都已通過(guò)一線手機(jī)大廠的肯定,且認(rèn)證其效能表現(xiàn)已可媲美GaAS天線開(kāi)關(guān),并能符合載波聚合功能的需要,其性價(jià)比優(yōu)勢(shì)盡顯。

至于英飛凌的低雜訊放大器目前仍系以矽鍺(SiGe)制程生產(chǎn),不過(guò),該公司正在審慎評(píng)估以CMOS制程生產(chǎn)低雜訊放大器的可能性,穩(wěn)步朝汰換所有RF元件為CMOS制程的方向邁進(jìn),提高產(chǎn)品性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。

據(jù)了解,高通RF360平臺(tái)目前采用的是SOI-CMOS制程;而RFaxis及英飛凌等廠商所采用的則是成本更具優(yōu)勢(shì)且制程整合度更成熟的塊狀矽CMOS(Bulk CMOS)技術(shù)。


另一方面,面對(duì)高通RF360平臺(tái)中來(lái)勢(shì)洶洶的CMOS功率放大器勢(shì)力,Skyworks產(chǎn)品行銷(xiāo)經(jīng)理Mc Govern則認(rèn)為,CMOS功率放大器與現(xiàn)下主流的砷化鎵功率放大器各有優(yōu)缺點(diǎn),市場(chǎng)上同時(shí)對(duì)于兩種制程技術(shù)都有需求,因此短期內(nèi)仍難以分出絕對(duì)勝負(fù),為了不流失任一市場(chǎng),Skyworks將維持CMOS、GaAs及絕緣層覆矽(SOI)射頻元件多頭并行的策略,以滿足各種客戶群的需要。

至于CMOS功率放大器未來(lái)的市場(chǎng)成長(zhǎng)預(yù)測(cè),拓墣產(chǎn)業(yè)研究所則預(yù)估,平價(jià)手機(jī)風(fēng)潮將助長(zhǎng)CMOSPA的市占率逐步提高,預(yù)估至2016年CMOS功率放大器的市占率可望逐步提升至15~20%。

面對(duì)CMOS功率放大器勢(shì)力快速崛起,GaAs功率放大器廠商除了加速多頻多模功率放大器研發(fā)之外,也可能同步發(fā)展CMOS技術(shù)。另一方面,運(yùn)用垂直分工啟動(dòng)輕晶圓代工(Fab-lite)策略,讓專(zhuān)業(yè)GaAs晶圓代工廠進(jìn)行產(chǎn)業(yè)分工,降低投資風(fēng)險(xiǎn),并運(yùn)用規(guī)模經(jīng)濟(jì)來(lái)降低GaAs功率放大器的生產(chǎn)價(jià)格,亦將成為許多GaAs功率放大器廠商的主要策略。

錢(qián)永喜強(qiáng)調(diào),CMOS射頻元件的趨勢(shì)已然形成,在射頻元件商積極以CMOS制程為基礎(chǔ)來(lái)提高射頻元件性能,且力求能滿足現(xiàn)今載波聚合需求的發(fā)展方向下,這股風(fēng)潮已成不可逆轉(zhuǎn)之勢(shì)。 

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