美國(guó)明尼阿波利斯，中國(guó)上海（2005年3月14日）--FSI國(guó)際有限公司（納斯達(dá)克：FSII）今日在此間宣布推出一項(xiàng)新的研發(fā)成果，這項(xiàng)新的鎳鉑去除工藝旨在幫助集成電路制造商在65-nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物(Salicide)的形成。FSI使用其ZETA®噴霧式清洗系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出了這項(xiàng)PlatNiStrip™工藝，并且與領(lǐng)先的集成電路制造商合作，在65-nm試驗(yàn)線設(shè)備上對(duì)該工藝進(jìn)行了驗(yàn)證。這項(xiàng)低成本的工藝可以在標(biāo)準(zhǔn)的ZETA系統(tǒng)上采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)品實(shí)現(xiàn)。此次在上海舉辦的SEMICONChina 2005上進(jìn)行的發(fā)布，表明了FSI愿意與中國(guó)領(lǐng)先集成電路制造商合作，把全球最先進(jìn)的工藝技術(shù)介紹到中國(guó)。

IC集成電路制造商過(guò)去都采用鎳硅化合物在65nm節(jié)點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物的形成，但是在整個(gè)的工藝制程中，鎳硅化合物可能不具備足夠穩(wěn)定的耐熱性來(lái)滿足各種溫度。研究人員發(fā)現(xiàn)，加入少量的鉑（約5%）可以大幅增加合成金屬硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性。但傳統(tǒng)的鎳去除方法如硫磺酸-過(guò)氧化氫解決方案，不能有效地去除鉑，結(jié)果導(dǎo)致在晶圓表面存在鉑的殘留物。

FSI的新PlatNiStrip™工藝，通過(guò)混合酸方案的使用可以同時(shí)去除鎳和鉑且無(wú)殘留，對(duì)于金屬硅化物、氧化物以及氮化物有較高選擇性，可以實(shí)現(xiàn)鎳鉑金屬硅化物薄膜的集成。

“FSI在自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物形成的金屬物去除方面擁有長(zhǎng)期而成功經(jīng)驗(yàn)，這項(xiàng)工藝正是建立在此基礎(chǔ)之上”FSI董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官DonMitchell這樣說(shuō)到?！霸谧晕覍?duì)準(zhǔn)金屬硅化物金屬去除應(yīng)用方面，超過(guò)20家領(lǐng)先的集成電路制造商使用FSI批量噴霧清洗系統(tǒng)進(jìn)行大批量生產(chǎn)?！?br />
ZETA系統(tǒng)最適于這項(xiàng)應(yīng)用，因?yàn)槠涮赜械幕瘜W(xué)品混合及傳送技術(shù)可確?？涛g速度一致性和可選擇性，因此具有穩(wěn)定可靠的工藝性能。有關(guān)ZETA系統(tǒng)的進(jìn)一步介紹，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)FSI中文網(wǎng)站：http://china.fsi-intl.com。

“中國(guó)大陸的領(lǐng)先集成電路制造廠商越來(lái)越重視引入先進(jìn)技術(shù)，上海正在成為一個(gè)新的半導(dǎo)體制造業(yè)技術(shù)中心，”DonMitchell補(bǔ)充道：“作為一家高度重視技術(shù)研發(fā)投入的領(lǐng)先公司，F(xiàn)SI愿意將其最先進(jìn)的技術(shù)介紹給中國(guó)用戶，這是我們選擇在上海發(fā)布我們?nèi)碌?5nmPlatNiStrip工藝的原因?！?br />
FSIZETA噴霧式清洗系統(tǒng)包括用于200mm-300mm晶圓尺寸的全自動(dòng)配置和用于200mm-150mm晶圓尺寸的半自動(dòng)配置。實(shí)踐證明ZETA系統(tǒng)的應(yīng)用范圍很廣，包括FEOL光刻膠去除和灰化去膠后清洗、后段（BEOL）灰化后去膠后清洗、自我對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物去除、晶圓凸塊技術(shù)和晶圓回收。該系統(tǒng)運(yùn)用離心噴霧技術(shù)，晶圓在一個(gè)密閉的氮?dú)鈨艋抑懈蛇M(jìn)和干出。FSI的通用化學(xué)品傳送技術(shù)在可控制化學(xué)品成分和溫度情況下制備化學(xué)試劑，并直接輸送到晶圓表面。ZETA系統(tǒng)售價(jià)為100萬(wàn)到280萬(wàn)美元。

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