OFweek顯示網(wǎng)訊 2014年7月7日，加利福尼亞州圣克拉拉——應(yīng)用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關(guān)鍵性挑戰(zhàn)的全新半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導(dǎo)體材料工程上的專業(yè)領(lǐng)先地位。其中，Applied Reflexiondisplay: inline !important; font: 14px/25px Arial, 宋體; white-space: normal; orphans: 2; float: none; letter-spacing: normal; color: rgb(51,51,51); word-spacing: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">® LK Prime™化學(xué)機械研磨拋光系統(tǒng)(CMP)擁有出色的硅片平整拋光性能，能讓FinFET及3D NAND結(jié)構(gòu)的應(yīng)用達(dá)到納米級的精度。另一款A(yù)pplied Producer® XP Precision™化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(CVD)則能滿足垂直3D NAND結(jié)構(gòu)對淀積的基本要求。全新的CMP和 CVD設(shè)備直接解決了3D結(jié)構(gòu)在精密、材料及缺陷方面的挑戰(zhàn)，幫助其實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體材料事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Randhir Thakur博士表示：“隨著人們對移動性的需求日益增加，3D結(jié)構(gòu)也日趨復(fù)雜化，因而亟需工程領(lǐng)域的創(chuàng)新。復(fù)雜的設(shè)計需要大量新技術(shù)、新材料的投入，以實現(xiàn)最佳的器件性能，并提高產(chǎn)品良率。今天我們發(fā)布的最新CMP和 CVD系統(tǒng)，能夠滿足不同客戶的多樣需求，實現(xiàn)高級3D邏輯和內(nèi)存芯片的量產(chǎn)轉(zhuǎn)型。”

在3D 結(jié)構(gòu)中，CMP對FinFET的柵結(jié)構(gòu)和NAND階梯結(jié)構(gòu)起著至關(guān)重要的作用。新器件結(jié)構(gòu)的要求十分嚴(yán)苛，有些甚至需要增加至10個研磨拋光工序，而Reflexion LK Prime CMP系統(tǒng)的設(shè)計初衷便是滿足這些高要求。LK Prime設(shè)備以其先進(jìn)的工藝技術(shù)，史無前例地推出6個研磨拋光站和8個清洗站步驟并配有先進(jìn)的高精度工藝參數(shù)控制技術(shù)，使客戶能夠在硅片薄膜性能和產(chǎn)能方面得到顯著的改善與提高。通過為Reflexion LK Prime系統(tǒng)增加拋光和清洗站，硅片的產(chǎn)出得以翻倍，生產(chǎn)效率提升最高可達(dá)100%。

通過獨立應(yīng)用每個研磨拋光站及清洗站，芯片制造商在拋光工藝上擁有了更大的靈活性，可以按不同要求提供特出工藝，精確控制薄膜拋光尺寸及平整度，減少器件缺陷及雜質(zhì)。LK Prime系統(tǒng)包含即時參數(shù)反饋分析和拋光終點探測控制技術(shù)，能夠保證硅片薄膜自身的均勻性及硅片與硅片間的可重復(fù)性，從而滿足未來器件的節(jié)點要求。憑借這些優(yōu)勢，LK Prime系統(tǒng)在控制FinFET的柵高上能使硅片上所有的器件元達(dá)到納米級的均勻性。這是一項十分重要的工藝，因為即使是FinFET柵高的一個極小變化，都會影響器件的性能和良率。對于3D NAND來講因其擁有更厚的薄膜層和大塊的表面結(jié)構(gòu)，需要持久和穩(wěn)定的研磨拋光工藝，多工藝加工站能為其提供穩(wěn)定和可控的拋光平坦化加工。

3D NAND產(chǎn)業(yè)的變革也亟需針對垂直柵制作和復(fù)雜圖形結(jié)構(gòu)應(yīng)用的先進(jìn)沉積技術(shù)。Producer XP Precision CVD系統(tǒng)通過對納米級層結(jié)構(gòu)間薄膜厚度的精密控制，達(dá)到硅片上關(guān)鍵尺寸的高度均勻性，從而支持3D NAND的轉(zhuǎn)型。該系統(tǒng)性能的關(guān)鍵在于獨一無二的精密腔體設(shè)計，并能夠調(diào)整溫度、等離子體、氣流等關(guān)鍵參數(shù)。通過提供靈活的工程技術(shù)，應(yīng)用材料公司能幫助客戶實現(xiàn)卓越的應(yīng)力控制和硅片內(nèi)、硅片間和層結(jié)構(gòu)間的均勻性，從而支持不同類型的優(yōu)質(zhì)、低缺陷薄膜的交替淀積，提高柵極性能，降低器件的差異率。

全新的XP Precision系統(tǒng)專為批量生產(chǎn)而設(shè)計，將已應(yīng)用于實際生產(chǎn)中的Producer CVD技術(shù)與更高效快捷的工藝腔技術(shù)相結(jié)合。此外，該系統(tǒng)采用全新的模塊化主機結(jié)構(gòu)和高速設(shè)計理念，進(jìn)一步提高了產(chǎn)出密度、降低了設(shè)備的持有成本。XP Precision系統(tǒng)大幅優(yōu)化了精密淀積效果，在提高產(chǎn)量的基礎(chǔ)上，使圖案結(jié)構(gòu)和多層式薄膜堆疊實現(xiàn)更薄、更優(yōu)的材料，從而應(yīng)對3D NAND結(jié)構(gòu)不斷縮小的趨勢。