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[導讀]低功耗與高性能、高集成度、低成本一起,一直是各大半導體廠商追逐的目標,特別是微控制器(MCU)這樣的智能芯片,每次發(fā)布的新器件,其功耗總是在逐步遞減。但是隨著物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備的“瘋狂入侵”,循序

低功耗與高性能、高集成度、低成本一起,一直是各大半導體廠商追逐的目標,特別是微控制器(MCU)這樣的智能芯片,每次發(fā)布的新器件,其功耗總是在逐步遞減。但是隨著物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備的“瘋狂入侵”,循序漸進式的功耗優(yōu)化已經(jīng)不再是超低功耗MCU的游戲規(guī)則,而是“突飛猛進”模式,與功耗相關的很多指標(如ULPBench得分)都不斷刷新記錄,而記錄的保持者往往只能“笑傲江湖”幾個月甚至幾天,就被競爭者KO。

總地來說,廠商們都是在內核架構、多種工作模式和休眠模式、優(yōu)化的外圍設備(如ADC)及其時鐘需求、多樣的電源范圍這些方面進行重點研究,以降低功耗。

本文以意法半導體(ST)STM32L4、愛特梅爾(Atmel) SAML21J18A、德州儀器(TI) SimpleLink C26xx以及基于Cortex-M4F的MSP432、恩智浦(NXP) LPC54102以及在中國名不見經(jīng)傳的Ambiq Micro Apollo系列為例,看看它們的低功耗究竟是怎樣煉成的!

1.意法半導體STM32L4系列(STM32L476)

低功耗性能:動態(tài)運行功耗低至100 μA/MHz;關閉時最低電流為30 nA,喚醒時間:為5 μs

ULPBench得分:123.5

內核:80 MHz ARM Cortex-M4核+DSP+浮點運算單元 (FPU)

CoreMark/MHz:3.42

低功耗原因:ART加速器、Flash零等待執(zhí)行、動態(tài)電壓調節(jié)、FlexPowerControl智能架構,7種電源管理模式(運行、低功耗運行、睡眠、低功耗睡眠、停止1、停止2、待機、關閉)。還有ST的Batch Acquisition Mode(BAM),其允許在低功耗模式下與通信接口足夠的數(shù)據(jù)交換。FlexPowerControl是在低功耗模式時保持SRAM待機,為特定外設和I/O管理獨立電源。

工作模式功耗分解:

 動態(tài)運行功耗: 低至100 μA/MHz;

 超低功耗模式: 30 nA 有后備寄存器而不需要實時時鐘(5個喚醒引腳);

 超低功耗模式+RTC: 330 nA 有后備寄存器 (5個喚醒引腳);

 超低功耗模式+32 KB RAM: 360 nA;

 超低功耗模式+32 KB RAM+RTC: 660 nA。

軟件:

意法半導體公司為開發(fā)者提供STM32 Cube MX功率模擬器,來估算所使用的意法MCU 在執(zhí)行代碼時的功率。

ULPBench測試環(huán)境:STM32 Nucleo

2.Atmel SAML21系列(SAML21J18A-UES)

低功耗性能:只消耗35 mA/MHz,睡眠模式下只有200 nA

ULPBench得分:185.8

內核:ARM Cortex-M0+

低功耗原因:5種不同的電量范圍使用不同的資源,以提高能效;分別為CPU和外圍設備創(chuàng)建一個IRQ線索,以實現(xiàn)分層中斷。其他原因還包括以下幾點:

 空閑、待機、備用、睡眠模式;

 sleepwalking接口;

 靜態(tài)和動態(tài)功率門控結構;

 后備電池支持;

 兩種性能水平;

 Embedded buck/LDO穩(wěn)壓器支持實時動態(tài)的選擇;

 低功耗接口。

ULPBench測試環(huán)境:SAML21 Xplained Rev2

3.TI SimpleLink C26xx 無線MCU(CC2650F128RGZ)

低功耗性能:峰值電流為2.9 mA,睡眠電流少于0.15 µA

ULPBench得分:143.6

CoreMark/MHz:61 uA

內核:Cortex-M3

特點:唯一一款集成超低功耗傳感器控制器的MCU,支持5種標準:Bluetooth、Sub-1 GHz、6LoWPAN、ZigBee和ZigBee RF4CE。

低功耗原因:功率優(yōu)化的射頻

工作模式功耗分解:

 處理狀態(tài):在48 MHz時峰值電流為2.9 mA;

 通信狀態(tài):接收的峰值電流為5.9 mA,發(fā)送時的峰值電流為6.1 mA;

睡眠狀態(tài):傳感器控制器消耗電流為8.2 uA/MHz,支持實時時鐘(RTC)和完全存儲器保持的睡眠模式,電流為1 µA。

4.TI MSP432

低功耗性能:主動模式電流)為95 µA/MHz 、睡眠模式電流(支持RTC)為850 nA 、從待機模式喚醒的時間小于 10 µs

ULPBench得分:167.4

內核:Cortex-M4F

Coremark:3.41/MHz

低功耗原因:

與LDO相較,集成DC/DC可節(jié)省40%的功耗;

繼承MSP430優(yōu)質低功耗DNA;

借助可選的RAM保持,每個RAM段的流耗可節(jié)省30 nA;

當使用14位 ADC,以1 MSPS的速度運行采樣傳感器時能耗最低 (375 µA);

DriverLib in ROM最多比閃存節(jié)省 35% 的能耗。

軟件特點:EnergyTrace技術,實時電源測量和調試,生成應用能源曲線,包括電流和CPU狀態(tài)。

5.NXP LPC54102

低功耗性能:100 MHz Cortex-M0+內核:55 µA/MHz,用于監(jiān)聽、數(shù)據(jù)采集以及管理;100 MHz Cortex-M4F內核:100 µA/MHz,用于傳感器信息處理和數(shù)據(jù)通信。

內核:ARM Cortex-M0+&Cortex-M4F雙核。

低功耗原因:不同傳感器數(shù)據(jù)管理方式不同,有兩個核(Cortex-M0+和Cortex-M4F)來處理不同數(shù)據(jù);在每個處理數(shù)據(jù)節(jié)點只調用最低數(shù)據(jù)處理能力;三種工作模式;高能效ADC。

工作模式功耗分解:

(1)監(jiān)聽模式,即掉電模式,且無CPU處理,但具有RAM保留功能,此時功耗僅為3 µA。

(2)讀取模式(I2C和ADC,12 MHz CPU時速率為10 S/s),這種模式用于監(jiān)聽、數(shù)據(jù)采集以及管理等非數(shù)據(jù)密集型應用。此時,LPC54100中只有Cortex M0+在運行,功耗為55 µA/MHz。

(3)算法處理(80 MHz CPU時每秒一次),這種模式用于傳感器信息處理和數(shù)據(jù)通信等數(shù)據(jù)密集型應用。此時,LPC5412中的Cortex-M4F核工作,其功耗為100 µA/MHz。競爭產(chǎn)品在第2和第3種模式時,都是采用Cortex-M4F核工作,功耗為112 µA/MHz。

高能效ADC特點:在任何電壓下(1.62 V~3.6 V),都能實現(xiàn)最高性能,達到12位 4.8 MS/s。而其他競爭對手產(chǎn)品中內置的ADC速率只有2.4 MS/s,而且必須是在高電壓下。

6.Ambiq Micro Apollo系列

Ambiq可能大家還不熟悉,其是由ARM、Cisco等投資的初創(chuàng)單片機公司。

低功耗性能:工作電流為30 mA/MHz,平均睡眠模式電流低至100 nA。

內核:ARM Cortex-M4F

特點:在真實世界應用中,其功耗通常比性能相近的其他MCU產(chǎn)品降低5至10倍,Apollo MCU的獨特之處是能同時優(yōu)化工作和睡眠模式功率,在執(zhí)行來自閃存的指令時,其功耗低至行業(yè)領先的30 mA/MHz,并且具有低至100 nA的平均睡眠模式電流,而這種極低的功耗不會影響性能。片上資源包括一個10位的13通道1MS/s ADC和一個精度為±2ºC的溫度傳感器。有12個中斷的喚醒中斷控制器。

低功耗原因:

Ambiq使用專利亞閾值功率優(yōu)化技術(Subthreshold Power Optimized Technology, SPOT)平臺來實現(xiàn)驚人的功耗降低。

SPOT平臺采用在亞閾值電壓(低于0.5 V)下運作的晶體管,而不是使用一直在1.8 V下保持“開啟”的晶體管。該平臺使用“關閉”晶體管的泄漏電流來進行數(shù)字和模擬領域內的計算,這項專利技術使用業(yè)界標準CMOS工藝來實施,克服了先前與亞閾值電壓切換相關的噪聲敏感性、溫度靈敏度和工藝漂移挑戰(zhàn)。

從上面幾個代表,相信你大概知道超低功耗MCU到底是怎樣煉成的,而超低功耗MCU白熱化競爭的好戲或許才剛剛開始,誰也不能確定一個最低界限,誰也不能保證自己是最后的低功耗終結者,受益者還是我們廣大工程師、最終產(chǎn)品使用者以及整個物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)。

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