擁有專利技術的RadLo?低α粒子電鍍陽極，顯著減少由α粒子引起的軟錯誤故障頻率

霍尼韋爾宣布推出基于霍尼韋爾專利技術的新型RadLo? 低α 粒子電鍍陽極產(chǎn)品，幫助降低由于α 粒子放射而引起的半導體數(shù)據(jù)錯誤發(fā)生率。

新電鍍陽極是RadLo產(chǎn)品系列的擴充，它采用了霍尼韋爾專利的量測和精制技術，用于半導體封裝晶圓突塊工藝。

“我們已經(jīng)通過一些主要的分包商開始批量生產(chǎn)新型低α 粒子電鍍陽極產(chǎn)品，同時也已在OEM設備廠商完成了認證程序。”霍尼韋爾電子材料先進金屬和聚合物業(yè)務產(chǎn)品總監(jiān)克里斯?李(Chris Lee)表示，“新產(chǎn)品能夠迅速獲得認證和采用表明我們的產(chǎn)品能滿足客戶的關鍵需要，幫助他們解決所面臨的技術挑戰(zhàn)和難題?！?/p>

半導體封裝材料中的α粒子放射會引起存儲單元中的數(shù)據(jù)錯誤并造成軟錯誤，最終導致手機、平板、服務器、游戲機以及其他終端設備的運行故障。隨著半導體尺寸的不斷減小以及功能需求的不斷增加，芯片對軟錯誤的敏感度不斷提高。為了有效解決這個問題，半導體封裝材料的設計人員需要借助低α 粒子放射的材料，例如霍尼韋爾RadLo系列產(chǎn)品。

在極低的α 粒子放射層級中，由于雜質(zhì)及宇宙射線等背景放射物的影響，測量α射線通量非常困難。為解決這一問題，霍尼韋爾采取了嚴格的量測和程序控管。

隨著半導體產(chǎn)業(yè)倒裝芯片封裝的發(fā)展，使用電鍍的晶圓凸塊工藝變得日益普遍。霍尼韋爾憑借自身的獨特優(yōu)勢，為晶圓突塊工藝提供高純度等級的電鍍陽極(>99.99% )，包括低α鉛(Pb)、低α錫(Sn)以及低α銅(Cu)等。我們提供多種α粒子放射等級，包括每平方厘米每小時小于0.002次的含錫陽極靶材。