據(jù)可靠的消息人士透露，高通(Qualcomm)采用10nm FinFET制程生產(chǎn)的驍龍(Snapdragon)830處理器將在今年內(nèi)(2016年內(nèi))發(fā)表，且搭載該款處理器的智能手機產(chǎn)品(首發(fā)機)將在明年(2017年)Q1現(xiàn)身。

據(jù)報導，除驍龍830之外，目前也已知有比現(xiàn)行驍龍820擁有更高性能的驍龍823處理器的存在，而該款驍龍823產(chǎn)品似乎將持續(xù)采用14nm FinFET制程。

報導指出，從搭載驍龍830的智能手機可能會在明年Q1現(xiàn)身這點來看，驍龍830可能將撘載在叁星Galaxy S7、LG G5、小米Mi 5或宏達電HTC 10等旗艦機種的后繼機種上。

微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料稱，高通驍龍830(代號為“MSM8998”)將采用叁星10nm制程、撘載改良版“Kryo”架構、且將支援8GB RAM，預計將在2017年初發(fā)布。

為了對抗高通驍龍820，聯(lián)發(fā)科3月16日在深圳宣布自家十核心芯片Helio X20即將上市，且更在會場上發(fā)布更高階的Helio X25(用來對抗驍龍823?);而聯(lián)發(fā)科用來對抗驍龍830的產(chǎn)品，應該就是傳聞將采用臺積電10nm制程的Helio X30。

Arena、 GSMArena 3月30日引述中國MTK手機網(wǎng)報導，知情人士透露，聯(lián)發(fā)科X30將進一步深挖叁叢十核的潛力，不僅確認會應用10納米制程，且是采用臺積電10nm FinFET工藝，預估最快6月就能成功“設計定案”(tape-out)，有望年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

韓國時報報導，Bernstein Research分析師Mark. C. Newman 3月10日發(fā)表研究報告指出，叁星的進度雖然有些拖延，但仍可搶下“業(yè)界第一個10納米晶圓代工廠”的頭銜，臺積電、英特爾將會緊跟在后，至于格羅方德 (GlobalFoundries)則幾乎趕不上。

Bernstein預估，叁星的10納米制程技術會在今年稍晚小幅投產(chǎn)，主要代工自家的處理器以及高通次代行動芯片組“Snapdragon 830”。不過，臺積電仍不容小覷，拜產(chǎn)能龐大之賜，臺積電也許將后來居上、產(chǎn)量會更多。