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耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱(chēng)利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來(lái)代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下,而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無(wú)需刷新。
耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品,該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍,而功耗僅為DRAM的1/20,而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
“我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快,但尺寸和閃存一樣小,且更易微縮。”耶魯大學(xué)教授Tso-Ping Ma說(shuō)道,“閃存在25nm節(jié)點(diǎn)會(huì)遇到障礙,但FeDRAM可隨CMOS工藝一同微縮至10nm以下?!?/p>
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