松下電工有限公司與瑞薩科技日前宣布，兩家公司已開始全面測試45nm系統(tǒng)芯片（SoC）半導體制造工藝。該工藝技術是業(yè)界第一次利用1.0以上的數值孔徑（NA）和氬氟化物（ArF）浸入式微影系統(tǒng)進行的全面整合。

預期目前的聯(lián)合開發(fā)項目將在2007年6月完成，開始投入量產的時間是2008財年。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進移動產品和網絡消費類電子產品的系統(tǒng)級芯片。除了先進級的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計劃在開發(fā)項目中采用其它新技術，包括引入應力的高遷移率晶體管和ELK（K = 2.4）多層布線模塊。