超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓?fù)浼軜?gòu)及應(yīng)用趨勢
ULDO與LDO的差異
LDO是一種用途極為廣泛的集成電路(IC)，它的優(yōu)點(diǎn)有：電路架構(gòu)簡單、輸出紋漣波很低、外部組件很少且簡單等等。一般的LDO架構(gòu)為：一個誤差放大器驅(qū)動一個P型MOSFET，利用回授電位與參考電位做比較，使輸出保持在正確的電壓。但是當(dāng)系統(tǒng)中需求的是超低壓差、低輸出電壓(0.8~1.8V)、高輸出電流時，用傳統(tǒng)單電源、P-MOSFET的架構(gòu)來設(shè)計LDO就變得相當(dāng)困難了。因此AX6610-6615超低壓差穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品采用N-MOSFET來當(dāng)驅(qū)動器，以相同大小的驅(qū)動器來說，N-MOSFET的驅(qū)動特性一般來說是優(yōu)于P-MOSFET的。但在低輸入電壓時，N-MOSFET的驅(qū)動特性又顯不足，且可能不適合整個IC的工作電壓。為此，采用了另一組電源輸入來提供IC穩(wěn)定的工作電壓，并且大大提升N-MOSFET之驅(qū)動能力。藉此方法達(dá)成低電壓輸入轉(zhuǎn)換低電壓輸出并且能驅(qū)動大負(fù)載電流。
ULDO的特性和拓?fù)浼軜?gòu)
AX6610-6615系列ULDO產(chǎn)品設(shè)計皆采用雙電源之架構(gòu)來設(shè)計，電源VIN為輸出轉(zhuǎn)換的來源，電源VCNTL為內(nèi)部電路所用電源。再搭配使用N-MOSFET作為驅(qū)動器。AX6610-6615的參考電位設(shè)計在0.8伏特，因此最低的可輸出電壓可達(dá)0.8伏特。其輸出電壓軟啟動時間僅有1毫秒，可大幅降低開機(jī)時的電流浪涌。輸入電壓VIN、VCNTL皆具有過低電壓監(jiān)測功能，當(dāng)輸入電壓過低時會停止輸出，可避免本身IC端與后方系統(tǒng)端的功能誤動作。此外，為了確保后端系統(tǒng)所得到的電壓正確無誤，本產(chǎn)品具有POWER-OK引腳，用以提供后端系統(tǒng)告警之用。本身IC內(nèi)部具備一90歐的放電電阻，在輸出關(guān)閉時會啟用，具有自我快速放電功能。過電流保護(hù)電路，會在電流超過安全范圍時予以限制。若當(dāng)輸出處于短路狀態(tài)時，還將啟動輸出周期性開啟機(jī)制，不讓輸出電流持續(xù)處于高壓差且限制電流值的狀態(tài)(因為此時之發(fā)熱功率為最大)直到短路狀態(tài)被解除。在持續(xù)重載或大跨壓下，熱量會持續(xù)累積，溫度會上升，當(dāng)?shù)竭_(dá)最高溫度容許值時，會啟動過溫保護(hù)功能，此時會關(guān)閉輸出，以避免IC燒毀，直到溫度恢復(fù)到回復(fù)點(diǎn)，此時輸出將會被重啟。此外在線性穩(wěn)定度、負(fù)載穩(wěn)定度與電源抑制比等指標(biāo)上(PSRR)，AX6610-6615亦有相當(dāng)優(yōu)異的表現(xiàn)。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)以前在工作中，同事遇到一個問題，LDO輸出接了一個負(fù)載，負(fù)載有低功耗和普通模式兩種工作模式，低功耗模式時正常，普通模式時工作也正常，但是從低功耗切換到普通模式時，卻發(fā)生了異常，測量得到LDO的輸出電壓波形大約如下，綠色是...
關(guān)鍵字： LDO 低功耗 負(fù)載調(diào)整率該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管
