Schiltron與Entrepix合作利用CMP達(dá)成3-D閃存制造新架構(gòu)
晶體管結(jié)構(gòu)和低溫度預(yù)算工藝步驟(low thermal budget process sequence)的變革促使單片(monolithic）3-D Flash預(yù)計將逐漸在大容量存儲用途取代傳統(tǒng)的NAND Flash Memory如MP3播放器，數(shù)位攝影和固態(tài)硬碟。 Schiltron的制造方式，其中實現(xiàn)CMP關(guān)鍵工藝，產(chǎn)生了柵極長度48納米， 45納米柵極寬度和厚度35納米渠道，已知最小的矽基薄膜電晶體。
Schiltron的創(chuàng)始人兼主席Andrew J. Walker說：“可擴展性的NAND Flash時代即將
Schiltron其中一個關(guān)鍵目標(biāo)是藉由Entrepix在先進的化學(xué)機械拋光工藝的專業(yè)知識來達(dá)成其裝置架構(gòu)概念證明?；瘜W(xué)機械研磨拋光在整個裝置流程起了以下2個重要關(guān)鍵和可行性：1，第一個柵極（first gate）的構(gòu)思和形成；2，超薄的渠道(ultra-thin channel)的形成。這兩者對于裝置功能都是至關(guān)重要。
Entrepix技術(shù)長Rob Rhoades說：“這個項目的發(fā)明很明顯的顯示化學(xué)機械研磨拋光(CMP）工藝有一定特有的產(chǎn)品架構(gòu)和引發(fā)更多新產(chǎn)品的實現(xiàn)。Schiltron也在3D Flash技術(shù)跨過和奠定了一大步也代表CMP將在新的材料和下一代產(chǎn)品的研發(fā)會將扮演更重要的角色?！?nbsp;
Schiltron，Mountain View， CA，在最近的舊金山國際電子器件會議（IEDM）上首次介紹了其新產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，說明新產(chǎn)品如何在替代制造方式提供明顯優(yōu)勢會。
下載文檔Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
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