[導(dǎo)讀]北京時(shí)間2月23日晚間消息,東芝周四表示,該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。該閃存芯片采用19nm新工藝,大小為170平方毫米,比一枚普通硬幣還小。該閃存芯片運(yùn)用3-
北京時(shí)間2月23日晚間消息,東芝周四表示,該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。
該閃存芯片采用19nm新工藝,大小為170平方毫米,比一枚普通硬幣還小。
該閃存芯片運(yùn)用3-bit-per-cell存儲(chǔ)技術(shù)。該存儲(chǔ)技術(shù)雖然比2-bits-per-cell存儲(chǔ)技術(shù)更為高效,但存在穩(wěn)定性不強(qiáng)的問題。這也意味著該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。
據(jù)悉,作為蘋果等公司主要供應(yīng)商的東芝將于本月開始生產(chǎn)這種閃存芯片。
隨著芯片生產(chǎn)商爭(zhēng)相追逐更小的芯片產(chǎn)品,他們?cè)谏a(chǎn)設(shè)備上的投入將大大增加。
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