華潤微電子有限公司附屬公司華潤上華科技有限公司近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術(shù)，華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級，從而達到更高的性價比。

據(jù)了解，200V SOI CDMOS第一代工藝技術(shù)依托華潤上華現(xiàn)有的低壓CMOS工藝平臺，結(jié)合深槽刻蝕技術(shù)及SOI介質(zhì)隔離技術(shù)，開發(fā)了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高壓特種器件NLIGBT，實現(xiàn)了芯片高電壓大電流驅(qū)動能力。該工藝所采用的深槽刻蝕、填充方法與傳統(tǒng)的CMOS工藝生產(chǎn)線基本兼容，開發(fā)成本低，不需要增加專用的深槽填充與平坦化設備，能較好地實現(xiàn)器件之間的隔離，是實現(xiàn)高壓器件工藝與普通低壓CMOS工藝相兼容的關鍵技術(shù)之一。

華潤上華的200V SOI CDMOS工藝可滿足國內(nèi)設計公司對高壓、高功率產(chǎn)品的開發(fā)需求，同時也可滿足客戶對高壓電源驅(qū)動管理——LED和PDP驅(qū)動及控制類芯片的巨大市場需求。采用的SOI圓片襯底材料由國內(nèi)硅片廠家提供，可有效降低成本，提高了產(chǎn)品競爭力。與Si基比，SOI制造的芯片具有顯著的節(jié)電效果，有利于大幅降低用電量。另外，SOI在高溫下性能非常穩(wěn)定，具有高可靠性。目前全球能提供基于SOI工藝的PDP驅(qū)動芯片僅有4家，采用華潤上華工藝的這款芯片在部分性能上已達到國際先進水平。

SOI的應用非常廣泛，市場前景可觀。隨著微處理器（CPU）、游戲機芯片（GPU）制程對SOI 技術(shù)需求愈來愈強，SOI 已成為各大晶圓代工角逐核心客戶青睞的武器，其應用市場已拓展到功率和靈巧器件以及MEMS 應用，特別是在汽車電子、顯示、無線通訊等方面發(fā)展迅速。VLSI研究預測，SOI市場未來幾年將會以健康的速率持續(xù)成長，預期SOI未來5年的年均復合增長率將達11%，到2012年 銷售額將達到11億美元。

第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。華潤上華的這項技術(shù)填補了國內(nèi)技術(shù)空白，并已成功打入國際市場，為三星、長虹等國內(nèi)外著名PDP電視廠家提供芯片。（責編：陶圓秀）