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[導(dǎo)讀]1月10日,2013年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂隆重舉行。中國(guó)國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人習(xí)近平、李克強(qiáng)、劉云山、張高麗出席大會(huì)并為獲獎(jiǎng)代表頒獎(jiǎng)。以上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹宏力”)為第一完成單

1月10日,2013年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂隆重舉行。中國(guó)國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)人習(xí)近平、李克強(qiáng)、劉云山、張高麗出席大會(huì)并為獲獎(jiǎng)代表頒獎(jiǎng)。以上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹宏力”)為第一完成單位的“高性能嵌入式非易失性存儲(chǔ)器片載芯片制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得2013年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目第一完成人、華虹宏力執(zhí)行副總裁徐偉先生代表公司領(lǐng)取獎(jiǎng)項(xiàng)?!?

華虹宏力榮獲2013年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)

該項(xiàng)目成功研發(fā)了嵌入式浮柵型和電荷捕獲型SONOS結(jié)構(gòu)及0.18微米至0.13微米/90納米的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器芯片工藝技術(shù)、內(nèi)核模塊和芯片測(cè)試、檢測(cè)技術(shù),打破了國(guó)外芯片制造巨頭的壟斷,實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域集成電路尤其是智能卡芯片的應(yīng)用和國(guó)產(chǎn)化,擁有70%國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率,25%國(guó)際市場(chǎng)占有率,保持了國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)第一的地位。

徐偉先生表示,“這是國(guó)家對(duì)公司持續(xù)創(chuàng)新能力的又一次肯定,充分證明了華虹宏力在技術(shù)創(chuàng)新及技術(shù)成果轉(zhuǎn)化上的實(shí)力。華虹宏力將一如既往,秉承持續(xù)創(chuàng)新,為全球客戶制造“芯”夢(mèng)想的愿景,為客戶提供最完善、高性價(jià)比的晶圓代工解決方案,為發(fā)展壯大自主可控集成電路產(chǎn)業(yè)做出更大的貢獻(xiàn)?!?
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LED驅(qū)動(dòng)電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動(dòng)電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。

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