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三菱電機(jī)3月一日起售“超小型DIPIPM3”新產(chǎn)品

時(shí)間：2013-03-10 02:04:34

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[導(dǎo)讀]三菱電機(jī)株式會(huì)社于3月1日開始發(fā)售使用MOSFET1作為開關(guān)器件和壓注模封裝技術(shù)的“超小型DIPIPM3”新產(chǎn)品。該產(chǎn)品將主要用于變頻冰箱等應(yīng)用，具有低電流狀態(tài)下運(yùn)行效率高的特點(diǎn)。1 Metal Oxide Semiconduct

三菱電機(jī)株式會(huì)社于3月1日開始發(fā)售使用MOSFET1作為開關(guān)器件和壓注模封裝技術(shù)的“超小型DIPIPM3”新產(chǎn)品。該產(chǎn)品將主要用于變頻冰箱等應(yīng)用，具有低電流狀態(tài)下運(yùn)行效率高的特點(diǎn)。

1 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：MOSFET金屬氧化膜半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2 在密封模具中注入經(jīng)加熱加壓的樹脂后加壓成形的方法。量產(chǎn)性和可靠性俱佳。

3 Dual-In-Line Package Intelligent Power Module：雙列直插式智能功率模塊

搭載MOSFET的超小型DIPIPM

新產(chǎn)品的特點(diǎn)

◇有助于小容量逆變器降低損耗

·開關(guān)元件采用MOSFET，低電流區(qū)的導(dǎo)通電壓與原有產(chǎn)品相比降低約60%4

·通過優(yōu)化MOSFET制造工藝，降低恢復(fù)損耗

·通過優(yōu)化控制IC，降低控制IC損耗

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4 在0.5A，25℃的狀態(tài)下，與本公司超小型DIPIPM“PS219C3”相比

◇高散熱結(jié)構(gòu)確保高可靠性

·通過采用低損耗開關(guān)元件和高散熱絕緣膜，抑制結(jié)溫上升

◇有助于最終產(chǎn)品的小型化和低成本

·高散熱結(jié)構(gòu)，使得最終產(chǎn)品的散熱設(shè)計(jì)變得容易

·內(nèi)置帶限流電阻的BSD5，可減少外圍元件的數(shù)量

5 Bootstrap Diode：自舉電路用高壓二極管

發(fā)售概要

銷售目標(biāo)

本公司于1997年將壓注模結(jié)構(gòu)的智能功率半導(dǎo)體模塊“DIPIPM”產(chǎn)品化。該產(chǎn)品內(nèi)置開關(guān)元件及進(jìn)行驅(qū)動(dòng)與保護(hù)的控制IC，為逆變器系統(tǒng)小型化及節(jié)能化作出了貢獻(xiàn)。

近年來，在變頻冰箱等家電產(chǎn)品上，年耗電量已成為產(chǎn)品的節(jié)能指標(biāo)。除了在額定工況下減少損耗，還要求減少在實(shí)際使用范圍中占較高比例的低電流區(qū)的損耗。

本公司此次計(jì)劃發(fā)售的超小型DIPIPM，采用了低電流區(qū)導(dǎo)通電壓和恢復(fù)損耗均較小的MOSFET，低損耗控制IC和高散熱結(jié)構(gòu)，此舉將有助于降低變頻冰箱等小容量逆變器的年耗電量以及實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的小型化和低成本。

主要規(guī)格

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