據(jù)外媒報道，安森美半導體(ON Semiconductor)宣布與Mercedes-AMG Petronas Motorsport及Mercedes EQ Formula E開展供貨合作。據(jù)稱，該公司將向Formula One和Formula E提供更多的車用級功率方案(automotive power solution)。

該公司的技術已應用到能量回收套件中，可控制Mercedes-AMG Petronas Motorsport賽車的點火及噴嘴驅動器。安森美半導體正與梅賽德斯EQ E級方程式賽車團隊研發(fā)電動動力系統(tǒng)創(chuàng)新產(chǎn)品，可提升尖端性能及能效。

安森美半導體營銷及方案工程企業(yè)戰(zhàn)略部高級副總裁David Somo表示：“安森美半導體是創(chuàng)新型電動車功率調節(jié)方案的業(yè)內(nèi)領導者，F(xiàn)ormula 1和Formula E車輛的動力系統(tǒng)不但提升了功率半導體的數(shù)量，這類半導體務必滿足嚴苛的性能及效能要求，同時還能耐受嚴苛的車輛環(huán)境。該合作展現(xiàn)了各類功率半導體及模塊，旨在為Mercedes-AMG Petronas Motorsport提供技術支持。”

安森美半導體全球方案工程設計部副總裁Dave Priscak表示：“Formula E車輛在運行期間存在大量的能源傳輸，這不僅涉及簡單的電氣難題。公司提供綜合性技術，涉及機械工程與電氣工程兩大技術領域，可為新一代電動車提供全方位的產(chǎn)品方案。公司期望繼續(xù)與梅賽德斯合作，利用專業(yè)技術，推動功率設備及電動車技術的技術進步。”

賽車技術勢必要耐受高強度的震動、沖擊及極限溫度。半導體設備的效能越高，廢熱的損耗量就越小，從而提升電動賽車的續(xù)航里程數(shù)或能耗。同時，工程師還需確保該類部件的尺寸盡可能地小，從而實現(xiàn)減重和節(jié)省空間的目的。

安森美半導體功率產(chǎn)品及方案包括：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、高壓柵極驅動器、超級接面整流器(super junction rectifiers)、高壓功率場效應晶體管(high voltage MOSFETs)、高壓直流-直流變換器及寬帶隙(wide band gap，WBG)，該類產(chǎn)品涉及碳化硅及氮化鎵，該類產(chǎn)品可用于新一代電動車。該類技術科提供較長的續(xù)航里程數(shù)、更快捷的充電服務及更好的熱管理方案。