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[導(dǎo)讀](中央社訊息服務(wù)20100401 14:49:11)諾發(fā)系統(tǒng)日前宣布與IBM成立共同研究項(xiàng)目,將利用諾發(fā)之電鍍銅SABRE與電漿輔助化學(xué)氣相沉積VECTOR系統(tǒng),設(shè)計(jì)出可制造3- D半導(dǎo)體銅硅穿孔(TSV)之制程,該新制程將可應(yīng)用于小體積與低

(中央社訊息服務(wù)20100401 14:49:11)諾發(fā)系統(tǒng)日前宣布與IBM成立共同研究項(xiàng)目,將利用諾發(fā)之電鍍銅SABRE與電漿輔助化學(xué)氣相沉積VECTOR系統(tǒng),設(shè)計(jì)出可制造3- D半導(dǎo)體銅硅穿孔(TSV)之制程,該新制程將可應(yīng)用于小體積與低耗電的3-D整合產(chǎn)品。

使用TSV技術(shù)將半導(dǎo)體工業(yè)推往3-D整合是一股強(qiáng)烈的趨勢(shì),將多種組件堆棧成類(lèi)似三明治結(jié)構(gòu)與用銅孔連接所有導(dǎo)電層,此技術(shù)增加了電路密度并使最終組件變小,透過(guò)每個(gè)組件間較短的連接長(zhǎng)度,進(jìn)而增加組件速度與較低的電力消耗,堆棧的結(jié)構(gòu)也允許多種特定功能組件的組合,包含利用非同構(gòu)型的整合,以符合現(xiàn)今不斷縮小之電子產(chǎn)品的需求,如手機(jī)、PDA及筆記本電腦,然而,對(duì)于整合TSV到半導(dǎo)體制程,以至于新結(jié)構(gòu)需同時(shí)俱有高可靠度與低制造成本上,仍面臨數(shù)個(gè)重要挑戰(zhàn)。其一是于極深的高長(zhǎng)寬比結(jié)構(gòu)之無(wú)洞填充時(shí),降低過(guò)多的銅沉積或承載,承載厚度會(huì)隨著TSV的形態(tài)而改變;另一個(gè)挑戰(zhàn)則需要低溫沉積介電薄膜的能力,如此一來(lái),在TSV的制造流程中,芯片上熱預(yù)算才不至于超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)。

諾發(fā)系統(tǒng)已發(fā)展出一套特殊高效的SABRE Electrofill@ TSV 制程,該制程使用享有專(zhuān)利權(quán)的設(shè)備,以及電鍍液達(dá)到最低過(guò)量銅之無(wú)洞填充,過(guò)多銅可降低75%,容許使用傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械硏磨(CMP)代替客制研膜泥漿,此外,SABRE的優(yōu)化TSV電鍍液提供較短的電鍍,因而能有較高的生產(chǎn)率。為了解決低溫介電膜的需求,諾發(fā)系統(tǒng)的VECTOR平臺(tái)搭配著獨(dú)創(chuàng)的多站連續(xù)沉積結(jié)構(gòu)(MSSD),使得具有穩(wěn)定且高良率的TSV制程,在崩潰電壓、漏電行為及芯片間的再現(xiàn)能力,與200度以下介電膜沉積的要求上成為可能。 SABRE與VECTOR的應(yīng)用簡(jiǎn)化了TSV的制造流程,并開(kāi)創(chuàng)了低成本、高效能3-D集成電路的廣范應(yīng)用,諾發(fā)系統(tǒng)與IBM將一起合作評(píng)估與研發(fā)制程應(yīng)用于IBM的3-D整合項(xiàng)目。

IBM半導(dǎo)體研究與研發(fā)中心的最杰出工程技術(shù)人員Subramanian Iyer博士表示:「早在1990年代中期,從雙方研發(fā)最初大量生產(chǎn)的機(jī)型開(kāi)始,諾發(fā)系統(tǒng)與IBM在后段銅制程已有長(zhǎng)久的合作關(guān)系,我們將利用諾發(fā)系統(tǒng)在電鍍銅與介電沉積技術(shù)的核心競(jìng)爭(zhēng)力,期待雙方的再次合作」。

諾發(fā)系統(tǒng)營(yíng)銷(xiāo)與客服部執(zhí)行副總Tim Archer說(shuō):「諾發(fā)系統(tǒng)非常興奮能與IBM合作研發(fā)突破性制程技術(shù)。我們的SABRE系統(tǒng)提供卓越、有成本效益的填銅技術(shù)于硅穿孔應(yīng)用,同樣的,我們的VECTOR系統(tǒng)中的MSSD構(gòu)造,也使得在溫度200度以下穩(wěn)定介電膜沉積成為可能,這亦成為這些新3-D應(yīng)用里的特別需求」。


關(guān)于諾發(fā)系統(tǒng)
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