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[導(dǎo)讀]在新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中,極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一,不過其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高,從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年,仍然未能投入實(shí)用。 極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光

在新式半導(dǎo)體光刻技術(shù)中,極紫外光刻(EUV)被認(rèn)為是最有前途的方法之一,不過其實(shí)現(xiàn)難度也相當(dāng)高,從上世紀(jì)八十年代開始探尋至今已經(jīng)將近三十年,仍然未能投入實(shí)用。

極紫外光刻面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist),也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對(duì)極紫外輻射非常敏感,這樣才能刻出圖案,但同時(shí)又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。——可簡(jiǎn)單參考【從沙子到芯片:且看處理器是怎樣煉成的】

Intel公司內(nèi)部一直在用微曝光設(shè)備(MET)對(duì)各種不同材料進(jìn)行試驗(yàn)和評(píng)估,目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度(LWR)的光刻膠材料,最近終于取得了重大突破。

在際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)舉行的光刻大會(huì)上,Intel就進(jìn)行了這方面的展示,使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結(jié)合極紫外底層,以及一種相應(yīng)的漂洗劑,最終達(dá)成了22nm半節(jié)距(half pitch)分辨率,并滿足敏感度和LWR要求。

Intel據(jù)此驕傲地宣布,經(jīng)過數(shù)十年的不懈努力,極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向?qū)嵱?,?dāng)然了,真正商用仍尚需時(shí)日。




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