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研發(fā)新技術(shù)　三星、海力士訂購EUV設(shè)備

時(shí)間：2010-08-11 23:04:00

關(guān)鍵字：三星海力士 EUV 內(nèi)存

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[導(dǎo)讀]據(jù)南韓電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韓內(nèi)存廠最快可于2012年著手量產(chǎn)10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代內(nèi)存。據(jù)相關(guān)業(yè)者表示，三星和海力士率先向荷商艾司摩爾(ASML)訂購研

據(jù)南韓電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韓內(nèi)存廠最快可于2012年著手量產(chǎn)10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代內(nèi)存。據(jù)相關(guān)業(yè)者表示，三星和海力士率先向荷商艾司摩爾(ASML)訂購研究用極端紫外光源(Extreme Ultraviolet；EUV)曝光設(shè)備，以研發(fā)新制程的技術(shù)。

每臺(tái)要價(jià)約1,000億韓元的EUV曝光設(shè)備能協(xié)助突破目前半導(dǎo)體微細(xì)制程20奈米制程界限的有利設(shè)備，南韓業(yè)者也期望率先進(jìn)行研究，以確保未來在微細(xì)制程技術(shù)上能領(lǐng)先其他競爭業(yè)者。

ASML目前自三星及海力士取得訂單后正在制造EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)2011年上半將可各自交貨給2間韓廠。據(jù)悉，臺(tái)積電(TSMC)也向ASML訂購設(shè)備，而美光(Micron)則是下訂后又取消了訂單。

EUV曝光設(shè)備是利用波長極短的紫外線，可在硅基板上刻出更微細(xì)的電路圖案?，F(xiàn)有的曝光設(shè)備是采用193奈米的波長，但EUV設(shè)備采用13.2奈米的極端紫外光線，可以呈現(xiàn)更微細(xì)的半導(dǎo)體電路。

專家分析，雖然目前部分半導(dǎo)體業(yè)者可透過采用ArF浸潤式微影和雙重曝光技術(shù)(DPT)量產(chǎn)20奈米Flash、30奈米DRAM，但采用該種微細(xì)制程的半導(dǎo)體生產(chǎn)將難以突破技術(shù)界限，發(fā)展出更微細(xì)的? s程。

三星及海力士將先測試研究用EUV曝光設(shè)備，最快2012年將可開始投入量產(chǎn)線。業(yè)界相關(guān)人員表示，南韓業(yè)者在全球業(yè)者間率先訂購研究用EUV設(shè)備，是為了確保在微細(xì)制程領(lǐng)域的技術(shù)能力。競爭業(yè)者將會(huì)根據(jù)市場情況也隨著引進(jìn)設(shè)備，而三星及海力士將可在生產(chǎn)次世代內(nèi)存方面占據(jù)領(lǐng)先地位。

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