諾發(fā)系統(tǒng)宣布應用在先進晶圓級封裝市場的系列產品
[導讀]諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進金屬聯(lián)機技術相輔相成，并且展開晶圓級封裝技術(WLP)的需求及市場。這些機臺都整合了一些一般傳統(tǒng)
諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進金屬聯(lián)機技術相輔相成，并且展開晶圓級封裝技術(WLP)的需求及市場。這些機臺都整合了一些一般傳統(tǒng)封裝設備沒有的新功能，并且持續(xù)維持業(yè)界領先的高生產性。
消費性電子要求更小、更強而有力的行動電子組件，并且指令周期要和一般邏輯和記憶芯片一樣快，因此驅動著可以降低電力消耗、增加系統(tǒng)表現(xiàn)等的替代封裝技術之發(fā)展。和傳統(tǒng)的封裝技術相比，TSV、WLP堆棧等的3D整合技術可以縮短芯片之間的聯(lián)機，進而得到顯著的芯片運算表現(xiàn)。TSVs還可以將多個芯片垂直堆棧形成一個三明治結構，同時也能縮短銅線之間的聯(lián)機。WLP技術像是micro-bumps、pillars、copper redistribution layers (RDL)可以增加 I/O 數(shù)目并降低pitch的需求。所有的3D整合技術都需要新的金屬、介電材料和應用。
諾發(fā)系統(tǒng)已經開始投資發(fā)展一系列新的產品以符合晶圓級封裝技術和成本限制上的需求，新推出的SABRE 3D系統(tǒng)，整合了目前最高科技水平的SABRE ElectrofillR技術，并且設立了一個新的機臺表現(xiàn)與成本節(jié)省的工業(yè)標竿。這個創(chuàng)新的系統(tǒng)包含了全新的專利技術，包括無? 晙}的先進表面處理技術(APT)、可降低銅overburden? MM技術，以即可改善在高產率下填洞均勻度的TurboCell技術。SABRE 3D的模塊化結構，可配置多種電鍍及前或后處理槽的各種封裝應用，包括TSV技術、pillar、RDL、bump底下的金屬化、共晶和無鉛微型焊接使用材料，如銅、錫、鎳、錫和銀。
INOVA 3D PVD system采用諾發(fā)公司的下一代專利HCMR濺射源，加上該公司的IONFLO(tm)技術，可提供高的高寬比TSVs卓越之銅側壁覆蓋和超低缺陷能力。離子引起的銅流過程可使用比傳統(tǒng)PVD更薄的晶種層，就可達到無孔洞的電鍍填洞，并可降低大于百分之五十的TSV制造消耗成本。INOVA 3D還提供IONX鈦和鉭源IONX加大碼技術，擴展濺鍍靶材的生命周期將可大于 10000千瓦小時，因此可以增加機臺的正常運作時間，并進一步降低在此應用上的整體消耗成本。
VECTOR 3D系統(tǒng)采用跟全球已有1000多臺的VECTOR PECVD相同專利的多站連續(xù)沉積(MSSD)技術，本MSSD架構加上新近開發(fā)的PECVD產品流程，讓VECTOR 3D可沉積低成本、低溫薄膜并且兼容于玻璃基板。低溫應用包括氮化硅擴散阻障層和氧化硅絕緣層以及護層。該系統(tǒng)的技術可調整薄膜的擋水性、電性，使其性質可以和高溫的介電薄膜性質相當。VECTOR 3= 瑣鬙x設計也可沉積應用在TSV結構(包含via-middle和via-last)的高質量介電內層。
G3D光阻去除系統(tǒng)的設計是要迅速消除用于制造 RDLs和pillars的厚光阻(20-100微米)，達到在高寬比TSVs的無殘留物之光阻去除和清潔。G3D的競爭優(yōu)勢來自于一個獨特高ash rate ICP源的高生產效率、低溫制程、并且深度清潔功能的組合。此ICP來源提供超均勻電漿，可有一致性的光阻去除和消除殘余物的表現(xiàn)。以有彈性的射頻功率和氣體分布的控制，以及低溫處理能力，G3D提供了一次廣泛的制程調整范圍以達到無殘留物的光阻去除，并且在業(yè)界具有領先的生產率。
諾發(fā)系統(tǒng)半導體系統(tǒng)產品執(zhí)行副總裁Dr. Fusen Chen表示：「 晶圓級封裝推動對新技術的要求，并且還能利用諾發(fā)公司在ECD、PECVD、 PVD、photoresist strip的核心競爭力。我們已經應用本身先進的沉積和光阻去除技術開發(fā)出一系列產品，以符合3D整合的新需求?！?br>
消費性電子要求更小、更強而有力的行動電子組件，并且指令周期要和一般邏輯和記憶芯片一樣快，因此驅動著可以降低電力消耗、增加系統(tǒng)表現(xiàn)等的替代封裝技術之發(fā)展。和傳統(tǒng)的封裝技術相比，TSV、WLP堆棧等的3D整合技術可以縮短芯片之間的聯(lián)機，進而得到顯著的芯片運算表現(xiàn)。TSVs還可以將多個芯片垂直堆棧形成一個三明治結構，同時也能縮短銅線之間的聯(lián)機。WLP技術像是micro-bumps、pillars、copper redistribution layers (RDL)可以增加 I/O 數(shù)目并降低pitch的需求。所有的3D整合技術都需要新的金屬、介電材料和應用。
諾發(fā)系統(tǒng)已經開始投資發(fā)展一系列新的產品以符合晶圓級封裝技術和成本限制上的需求，新推出的SABRE 3D系統(tǒng)，整合了目前最高科技水平的SABRE ElectrofillR技術，并且設立了一個新的機臺表現(xiàn)與成本節(jié)省的工業(yè)標竿。這個創(chuàng)新的系統(tǒng)包含了全新的專利技術，包括無? 晙}的先進表面處理技術(APT)、可降低銅overburden? MM技術，以即可改善在高產率下填洞均勻度的TurboCell技術。SABRE 3D的模塊化結構，可配置多種電鍍及前或后處理槽的各種封裝應用，包括TSV技術、pillar、RDL、bump底下的金屬化、共晶和無鉛微型焊接使用材料，如銅、錫、鎳、錫和銀。
INOVA 3D PVD system采用諾發(fā)公司的下一代專利HCMR濺射源，加上該公司的IONFLO(tm)技術，可提供高的高寬比TSVs卓越之銅側壁覆蓋和超低缺陷能力。離子引起的銅流過程可使用比傳統(tǒng)PVD更薄的晶種層，就可達到無孔洞的電鍍填洞，并可降低大于百分之五十的TSV制造消耗成本。INOVA 3D還提供IONX鈦和鉭源IONX加大碼技術，擴展濺鍍靶材的生命周期將可大于 10000千瓦小時，因此可以增加機臺的正常運作時間，并進一步降低在此應用上的整體消耗成本。
VECTOR 3D系統(tǒng)采用跟全球已有1000多臺的VECTOR PECVD相同專利的多站連續(xù)沉積(MSSD)技術，本MSSD架構加上新近開發(fā)的PECVD產品流程，讓VECTOR 3D可沉積低成本、低溫薄膜并且兼容于玻璃基板。低溫應用包括氮化硅擴散阻障層和氧化硅絕緣層以及護層。該系統(tǒng)的技術可調整薄膜的擋水性、電性，使其性質可以和高溫的介電薄膜性質相當。VECTOR 3= 瑣鬙x設計也可沉積應用在TSV結構(包含via-middle和via-last)的高質量介電內層。
G3D光阻去除系統(tǒng)的設計是要迅速消除用于制造 RDLs和pillars的厚光阻(20-100微米)，達到在高寬比TSVs的無殘留物之光阻去除和清潔。G3D的競爭優(yōu)勢來自于一個獨特高ash rate ICP源的高生產效率、低溫制程、并且深度清潔功能的組合。此ICP來源提供超均勻電漿，可有一致性的光阻去除和消除殘余物的表現(xiàn)。以有彈性的射頻功率和氣體分布的控制，以及低溫處理能力，G3D提供了一次廣泛的制程調整范圍以達到無殘留物的光阻去除，并且在業(yè)界具有領先的生產率。
諾發(fā)系統(tǒng)半導體系統(tǒng)產品執(zhí)行副總裁Dr. Fusen Chen表示：「 晶圓級封裝推動對新技術的要求，并且還能利用諾發(fā)公司在ECD、PECVD、 PVD、photoresist strip的核心競爭力。我們已經應用本身先進的沉積和光阻去除技術開發(fā)出一系列產品，以符合3D整合的新需求?！?br>
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