[導(dǎo)讀]美國(guó)應(yīng)用材料上市了支持22nm以后工藝的掩模用蝕刻裝置“Centura Tetra X”。擴(kuò)展了現(xiàn)有蝕刻裝置“Tetra III”的功能,并將關(guān)鍵層加工尺寸的均一性(CDU)提高到了2nm。
據(jù)應(yīng)用材料介紹,如果使用該裝置,可實(shí)現(xiàn)二
美國(guó)應(yīng)用材料上市了支持22nm以后工藝的掩模用蝕刻裝置“Centura Tetra X”。擴(kuò)展了現(xiàn)有蝕刻裝置“Tetra III”的功能,并將關(guān)鍵層加工尺寸的均一性(CDU)提高到了2nm。
據(jù)應(yīng)用材料介紹,如果使用該裝置,可實(shí)現(xiàn)二次圖形(DP)技術(shù)及SMO(source-mask optimization)技術(shù)中尤其需要的、不依存于圖形尺寸及圖形密度的均勻蝕刻。另外,此次的裝置可配備該公司獨(dú)立開(kāi)發(fā)的工藝實(shí)時(shí)監(jiān)控等功能。使用實(shí)時(shí)監(jiān)控功能后,能夠精密控制硬掩模、MoSi及石英的蝕刻過(guò)程,能以較高的精度制造二元掩模及移相掩模。另外,應(yīng)用材料還表示,此次的裝置已在22nm掩模制造工序上使用,其性能已評(píng)測(cè)完畢。(記者:長(zhǎng)廣 恭明)
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PHASE
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快速推進(jìn)創(chuàng)新和國(guó)際化戰(zhàn)略 上海2022年8月27日 /美通社/ -- 8月26日,翰森制藥(3692.HK)發(fā)布2022年上半年業(yè)績(jī)報(bào)告。報(bào)告顯示,在宏觀情形與疫情影響下,2022年上半年公司財(cái)務(wù)表現(xiàn)穩(wěn)健,結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢(shì)凸...
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(全球TMT2022年7月14日訊)近期,悉尼大學(xué)的一項(xiàng)研究表明,雖然觀察者無(wú)法有意識(shí)地識(shí)別"真假臉"之間的差異,但他們的大腦可以。在興起的"換臉術(shù)"(deepfakes)黑科技使用中,如何區(qū)分真實(shí)的人臉和仿造的人臉呢...
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金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P...
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實(shí)時(shí)監(jiān)控
TI 芯片
步進(jìn)電機(jī)
RFID 技術(shù)
主從通信
CC3200
摘 要:針對(duì)夏天車內(nèi)可能出現(xiàn)的危險(xiǎn),采用移動(dòng)4G網(wǎng)絡(luò)、生命體檢測(cè)裝置檢測(cè)設(shè)備及蜂鳴器相結(jié)合的方法,實(shí)時(shí)監(jiān)控車內(nèi)的生命體信號(hào)。檢測(cè)裝置將采集到的生命體征信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),同時(shí)觸發(fā)車內(nèi)的蜂鳴器報(bào)警,電信號(hào)經(jīng)過(guò)處理后傳輸給手機(jī)...
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▼關(guān)注公眾號(hào):工程師看海▼無(wú)論什么電子產(chǎn)品,都必須用到電源,在移動(dòng)端消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,常用的有DCDC電源和LDO電源兩種,DCDC的優(yōu)點(diǎn)是效率高,但是噪聲大;LDO正相反,它是效率低,噪聲小。今天我們來(lái)介紹下LDO的基...
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工程師
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巧學(xué)模電數(shù)電單片機(jī)|文末送電烙鐵?1、IC直接驅(qū)動(dòng)型這種電源IC的直接驅(qū)動(dòng)是最常見(jiàn)、最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式。圖1IC直接驅(qū)動(dòng)MOS柵極使用這種方法,我們應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)及其影響。首先查看電源IC手冊(cè),了解最大峰值驅(qū)動(dòng)電流,因?yàn)?..
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一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流,然而,在MOSFET的GS兩級(jí)之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。如果不考慮紋波和EMI的要求話,MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)損耗...
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MOS
電路
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。下圖的3...
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電路設(shè)計(jì)
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