[導讀]RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術至RFMD的晶圓代工服務內容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術。RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產品而最佳
RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術至RFMD的晶圓代工服務內容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術。
RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產品而最佳化的三種不同 GaAs pHEMT 技術。RFMD的0.3微米pHEMT技術可提供高功率，并針對 X-band 相位式數組功率放大器(PA)和8-16 GHz的寬帶軍事電子戰(zhàn)干擾器而最佳化。
RFMD的0.25微米 pHEMT 技術可提供低噪聲、中功率、高線性度，鎖定之應用包括低噪聲前端和發(fā)射器 MMIC 。0.6微米 pHEMT 技術則提供低噪聲和射頻訊號高線性切換，是專為無線前端和發(fā)射/接收模塊應用而設計。
RFMD目前提供Foundry Services的客戶北卡羅來納州格林斯博羅晶圓廠的兩項 RFMD的氮化鎵(GaN)制程技術，分別為鎖定高功率應用的 GaN1 與鎖定高線性度應用的 GaN2 。RFMD并提供一個整合式被動組件(IPC)技術最佳化來配合高功率應用。RFMD的先進 GaAs pHEMT 技術與其氮化鎵技術，和其它電源半導體技術互補，以設計多芯片模塊(MCM)。
RFMD Foundry Services事業(yè)部的成立，旨在為外部晶圓代工客戶提供實時的高可靠性、高性能和具價格競爭力的制程制程技術。所有的制程技術都是由RFMD位于英國的Newton Aycliffe 廠制造，讓RFMD Foundry Services 客戶可透過簡易的歐洲進/出口管制，取得歐洲技術的方式。
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