在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應用到大批 量生產(chǎn)的時間點將會遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時間點，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來看，很可能連Intel的10nm制程都會趕不上！不過對其它芯 片代工廠以及內(nèi)存芯片制造商而言，仍有可能趕在他們推出16/14nm制程產(chǎn)品時應用EUV光刻技術(shù).

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資料：ASML去年在SPIE2010上公布的EUV光刻機發(fā)展路線圖

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在芯片廠商準備對某等級制程的芯片產(chǎn)品進行大量商業(yè)化生產(chǎn)之前，通常需要進行試產(chǎn)確保制程技術(shù)不出現(xiàn)問題，而在試產(chǎn)之前則必須確定所用的設(shè)計準則（design-rules (DR)所謂設(shè)計準則指的是由半導體廠商提供給芯片設(shè)計方的一系列制程技術(shù)參數(shù)，如最小線寬，最小線間間距等，芯片設(shè)計方可以將這種設(shè)計準則與自己設(shè)計的電路圖型進行比對，以確保制造時不會出現(xiàn)問題。 ）Intel在制程微縮方面一直走在世界前列，其32nm制程產(chǎn)品已經(jīng)在量產(chǎn)投入，22nm制程產(chǎn)品則已經(jīng)在小批試產(chǎn)，而14nm制程所用的設(shè)計準則則已經(jīng)制定完畢（2013年將投入量產(chǎn)），預計10nm產(chǎn)品將在2015年實現(xiàn)量產(chǎn)。

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Sam Sivakumar

在尼康最近舉辦的LithoVision會展儀式上，Intel高管Sam Sivakumar透露稱其14nm制程產(chǎn)品的設(shè)計準則使用的是基于四重成像的193nm液浸式光刻技術(shù) (193i-QP)，而其10nm制程節(jié)點(實際線寬為20nm，線節(jié)距40nm)所用的設(shè)計準則則會在2013年早些時候確定下來。他表示：“這樣一來，量產(chǎn)化的EUV光刻機恐怕很難趕在我們的10nm制程設(shè)計準則確定的時候出現(xiàn).”雖然有可能出現(xiàn)EUV翻盤的情況，但這樣的可能性現(xiàn)在看來很小。Sivakumar稱：“如果想用上EUV光刻機我們需要重新設(shè)計制程的設(shè)計準則，因為要想把193nm液浸式光刻所用的設(shè)計準則套用到EUV光刻上顯然是不可能的?！?/p>

談到在22nm節(jié)點制程上分別應用EUV和193nm液浸式光刻技術(shù)（以下簡稱193i）的擁有成本(COO:Cost of Ownership)方面,日本東電電子公司(TEL)的Hidetami Yaegashi給出的數(shù)據(jù)則顯示193i+雙重成像（193i+DP）技術(shù)的應用成本要比產(chǎn)出量為150片/小時的EUV光刻機更少，相比60片/小時的EUV光刻機則會低上一半。

目前EUV光刻技術(shù)在光源，光阻有關(guān)的技術(shù)方面似乎遇到了很大的麻煩，EUV光刻機廠商似乎過分相信自己的實力了。

另一方面，在SPIE高級光刻技術(shù)會議召開不久，比利時的IMEC公司便宣布他們購買的ASML NXE3100 預產(chǎn)型EUV光刻機已經(jīng)安裝完成，值得注意的是，IMEC的發(fā)言人表示明年EUV光刻機的產(chǎn)出量才有可能提升到60片/小時的水平。另外，他還表示NXE3100 EUV光刻機的雜散光缺陷(flare)比例僅為4%，比ASML先前的EUV alpha-demo-tool機型的8-10%有較大的改善。(由于雜散光缺陷所占的比例隨光波波長平方的倒數(shù)增長，而EUV光刻的光波波長極小，因此雜散光缺陷比例是EUV光刻機的重要技術(shù)指標之一。 )

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會上臺積電研發(fā)副總裁蔣尚義表示：“大多數(shù)人都覺得摩爾定律快要走到頭了，而我們未來十年內(nèi)能否繼續(xù)沿著摩爾定律的路線走下去則要靠你們了！”最大的問題在財力支持方面，而不是技術(shù)上的。他解釋說：“在晶體管和互聯(lián)技術(shù)的開發(fā)方面，我們并不會遇到嚴重的障礙，而光刻方面的成本花費則會是今后10年內(nèi)阻擋摩爾定律的最大障礙之一.”根據(jù)臺積電的成本分析數(shù)據(jù)顯示，在14nm節(jié)點及以上等級節(jié)點，產(chǎn)出量達100-150片/小時的EUV光刻工具其擁有成本可小于193i-DP光刻方案。

凸版光掩膜公司的副總裁Franklin Kalk在接受SemiMD網(wǎng)站記者采訪時則表示，光刻技術(shù)的發(fā)展會繼續(xù)實用主義路線，他比喻EUV光刻技術(shù)的發(fā)展狀況時，風趣地說：“我們坐的飛機不會摔在地上，我覺得我們可以安全著陸。不過我們也許需要一點反推力，這樣著陸時就不會偏離跑道。另外，我們可能會單輪著地，所以飛機在平穩(wěn)著陸前可能會蹦兩蹦...”

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