Intel近日親口承認，備受關注的極遠紫外光刻(EUV)技術可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。

Intel目前的計劃是在14nm工藝上擴展193nm沉浸式光刻技術，預計2013年下半年實現(xiàn)，然后2015年下半年進步到10nm工藝，同時首次啟用EUV技術。

盡管10nm工藝看起來還非常遙遠，但是Intel已經(jīng)開始制定相關的設計規(guī)則了，EUV則很可能將錯過這場盛宴。尼康公司贊助的LithoVision光刻技術大會上，Intel光刻技術主管Sam Sivakumar坦白地承認:“EUV遲到了，趕不上10nm工藝設計規(guī)則的定義?！?br>
盡管如此，Sivakumar還是說EUV仍然有很大的機會與10nm工藝肩并肩登場，前提是相關的制造設備能再2012年下半年供貨。就算是那樣，EUV也只能趕上末班車。

Intel EUV光刻設備的供應商將在荷蘭ASML Holding NV、日本尼康之間選擇。據(jù)報道，ASML已經(jīng)向Intel出貨了一套預產(chǎn)型EUV光刻設備，型號“NXE:3100”，使用了Cymer Inc公司的光源。尼康則正在日本總部和Selete研發(fā)組織設計Alpha測試階段的EUV光刻機。如果一切順利，兩家公司今年或者明年都能出貨全功能、量產(chǎn)型的EUV設備。

EUV極遠紫外光刻是下一代半導體光刻技術，最初計劃用在65nm工藝階段，但因為種種原因而一再推遲，半導體廠商將不得不先行采用成本昂貴的雙層圖案光刻技術，比如Intel就會在14nm工藝上啟用名為兩次曝光(pitch splitting)的雙層圖案技術，同時也希望能在14nm工藝上開始進行EUV試驗，但不知道是否來得及。來源硅谷動力)