麻省理工學(xué)院的研究人員表示，他們已經(jīng)研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術(shù)，而此前電子束光刻技術(shù)所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關(guān)這次研究的詳細(xì)內(nèi)容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》（ Microelectronic Engineering）刊物上。有人認(rèn)為，研究的結(jié)果也許會改變目前電子束光刻技術(shù)遇冷的局面，令這項(xiàng)技術(shù)重新引起半導(dǎo)體制造廠商的注意力。

另外一方面，作為下一代光刻技術(shù)目前最熱門候選人的EUV極紫外光刻技術(shù)，近年來付諸實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)則一再拖延，目前業(yè)內(nèi)普遍預(yù)計(jì)這項(xiàng)光刻技術(shù)將于2012/2013年左右在22nm節(jié)點(diǎn)由半導(dǎo)體制造業(yè)內(nèi)的領(lǐng)頭企業(yè)首先正式投入使用。不過，EUV目前遇到了光源功率不足，掩膜板保護(hù)膜（pellicle，即套在掩膜板上方保護(hù)掩膜板不被污物沾染的保護(hù)膜）研制困難等諸多問題。

光刻技術(shù)研發(fā)人員過去一直在推進(jìn)電子束光刻技術(shù)的發(fā)展，人們認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)在提高圖像分辨率方面相比其它技術(shù)擁有獨(dú)特的優(yōu)勢，而且電子束直寫技術(shù)還存在不需要使用造價(jià)昂貴的掩膜板等優(yōu)勢。

但電子束光刻技術(shù)的主要缺點(diǎn)是產(chǎn)出量相對低下，采用電子束光刻技術(shù)刻制芯片圖像所需要的時(shí)間比其它的技術(shù)要長得多。因此目前電子束光刻設(shè)備主要的用途是用于刻制掩膜板，許多人甚至認(rèn)為電子束光刻技術(shù)的產(chǎn)出量永遠(yuǎn)也無法滿足芯片量產(chǎn)的需求。盡管如此，目前仍有許多公司和研究機(jī)構(gòu)在繼續(xù)研究和開發(fā)電子束光刻設(shè)備。

據(jù)麻省理工學(xué)院的研究人員表示，與現(xiàn)有的光學(xué)光刻技術(shù)不同，在電子束光刻技術(shù)中，電子束需要從芯片表面的光阻膠上逐行掃描而過，而現(xiàn)有光學(xué)光刻技術(shù)則可一次曝光一整片芯片區(qū)域。

研究人員透露，他們這次改善電子束光刻分辨率試驗(yàn)成功的主要秘訣是兩項(xiàng)。第一項(xiàng)是使用更薄的光阻膠涂層以減小電子的散射。第二項(xiàng)則是使用含有普通食鹽的顯影液來對光阻膠進(jìn)行顯影，以提高曝光的對比度。

麻省理工學(xué)院介紹該技術(shù)的網(wǎng)頁文章內(nèi)還引用了著名電子束光刻設(shè)備廠商Mapper公司的聯(lián)合創(chuàng)始人Pieter Kruit的話稱，他認(rèn)為業(yè)內(nèi)廠商不太可能與麻省理工學(xué)院的試驗(yàn)一樣采用同樣的光阻膠方案，雖然這些企業(yè)也在研制對微小電子劑量更為敏感的高對比度光阻膠，但是他認(rèn)為麻理這次試驗(yàn)中所使用的光阻膠其靈敏度“太高了”。

他說：“不過，就像業(yè)內(nèi)廠商常做的那樣，只要我們對這種光阻膠的靈敏度進(jìn)行稍微的調(diào)節(jié)，就可以使其符合我們的要求?！?br>
PS:相比其它半導(dǎo)體芯片大廠，臺積電過去對電子束光刻技術(shù)情有獨(dú)鐘，他們曾出資支持Mapper公司。臺積電納米成像部的副總裁林本堅(jiān)也曾表示：“臺積電16nm制程節(jié)點(diǎn)會是EUV或者無掩模光刻技術(shù)的二選一。而最終哪項(xiàng)技術(shù)會勝出則取決于其"可行性"。”不過由于在電子束光刻技術(shù)方面遇到較大的困難，最近他們對EUV技術(shù)的重視程度有了明顯的加強(qiáng)。

CNBeta編譯

原文：eetimes