數十年來，光刻一直是關鍵的芯片生產技術，今天它仍然很重要。不過，EUV技術的一再延遲已經讓整個業(yè)界麻木了，擺脫光刻技術的沮喪看來遙遙無期。今天的193nm浸沒式光刻技術仍然遠遠領先，業(yè)界一度認為193nm浸沒式光刻會在32nm遭遇極限，現在看來該技術可擴展到1x納米節(jié)點。不過，要獲得這些刻蝕圖案，芯片制造商必須采取更昂貴的雙重曝光工藝。ASML公司希望讓EUV技術能應用在22nm節(jié)點，但尼康認為在16或11nm節(jié)點前，該技術都尚未就緒。ASML最近向三星電子推出了首款獨立的預生產EUV設備NXE:3100，ASML現總共有六張NXE:3100訂單。有兩家廠商為ASML的NXE:3100工具提供光源：Cymer和Ushio。
Cymer已經開發(fā)了基于激光激發(fā)等離子型(laser-produced plasma, LPP)技術的光源?！案鶕覀兊募夹g藍圖，HVM Gen 1 Cymer光源的目標是達到105W的輸出功率；HVM Gen 2約達250W，而HVM Gen 3則約350W。”Cymer公司市場與光刻技術副總裁Nigel Farrar博士說，“也就是說，Cymer的腳步有點落后于功率需求?！拔夜烙嬙?012年該數字將增加一倍達到40W，在2013年之前都無法實現100W的目標?！彼f?！八晕覀兛梢灶A期100W的光源與NXE:3300設備同時問世，這是一件好事，因為100W可支持每小時80片晶圓的吞吐量，一些專家認為這是量產最低吞吐量?！蹦壳暗墓沧R是EUV生產設備必須達到至少每小時65~80片晶圓的吞吐量，才能讓EUV具經濟效益。而2011年已經裝機的光源功率還只能支持到5片/小時的吞吐量，這離規(guī)模量產還是太遠。所以Nigel認為必須到2013年才能達到EUV的量產水平，這離該公司原來的技術藍圖的進度安排延遲了有3年之久，當然這點延遲根本不算什么，業(yè)界早就習以為常。不過Nigel還是對EUV的市場前景報以極大的樂觀，他認為只要設備吞吐量高于75片/小時，制造成本就會低于現有的浸沒式光刻工藝，而隨著光源功率的提升，這個吞吐量還有極大的提升空間，比如100W的光源可實現每小時60片晶圓的吞吐量；而250W的光源每小時可處理125片晶圓，現在每小時100片晶圓的吞吐量，是已被晶片制造商采用的前幾代193nm浸沒式光刻設備的基準吞吐量。所以業(yè)內所有的半導體制造商都對該技術非常關注，尤其是對成本極端敏感的存儲器廠商。預期在2013-2014年就會有存儲器廠商開始量產EUV技術，邏輯芯片廠商則預計在2014-2015之間，Intel可能是最早使用該技術的邏輯芯片廠商。

而另一家半導體生產設備巨頭KLA-Tencor的首席市場營銷官Brian Trafas博士則認為EUV的技術研發(fā)不會那么順利，他預計2017年EUV才能正式量產，因為不單單是光源的延遲，其他配套的技術比如光刻膠、光罩和光阻都需要跟上。EUV對光刻技術來說是一次飛躍，整個業(yè)界非常企盼，但是技術難度實在太大，無法在近期完成研發(fā)，達到量產化。但是談到大家更加關心的450mm晶圓技術的時候，他表示2016年會進入beta測試階段，而2018年才會正式量產，因為晶圓尺寸增大是產業(yè)最大規(guī)模且最具破壞性的投資，為轉變過程帶來極大的挑戰(zhàn)。每一件工藝和自動化設備須重新設計，從晶體生長到最終測試。他認為450mm設備的技術要求遠遠超過在現有300mm設備的基礎上簡單地線性增長。晶圓平整性、晶圓熱擴張等特性都將最終導致光刻、淀積、平坦化等工藝物理性的改變?，F有的300mm工藝中將近1000步工序的每一步都需要重新科研分析和工程再造。更大晶圓的數據處理和測量要求將放緩生產周期，良率也會受到較大的影響。這與業(yè)界原來的傳聞有所延遲，據DigiTimes的消息稱，臺積電按照原定計劃推動450mm晶圓的發(fā)展，預計在2014到2015年開始新規(guī)格晶圓的生產，并在2015到2016年間正式投入量產。臺積電的450mm晶圓生產設備可在2014年完成安裝并在2015年開始進行小批量的試產，如果一切順利，2015年到2016年間即可進入量產階段。Intel愛爾蘭分公司的研發(fā)高管 Leonard Hobbs曾在2011年ISS-SEMI會議上透露，Intel預計2015年其首條450mm產線將可開始試產。同時他還表示，預計2012首批測試用450mm晶圓可制成，相應的芯片生產設備方面則會在2013年到位。顯然半導體芯片制造商過分樂觀，450mm晶圓生產工藝的技術難度超出了業(yè)界的想象。

相對于目前300mm晶圓，450mm晶圓的尺寸和可制造的芯片數目遠遠勝出（2倍多），對于芯片制造商來說，這具有相當吸引力。更大的晶圓尺寸意味著更低的每芯片量產成本，但是要研發(fā)450mm晶圓所需的設備，投資可能高達1000億美元。在過去，每改換一次晶圓尺寸需要大約10年時間，例如從1991年采用200毫米晶圓開始計算，到2001年開始啟用300毫米晶圓技術就需要至少十年時間。鑒于過去每10年，半導體工業(yè)便向更大晶圓尺寸進行轉移；為跟上歷史的步伐，三星、臺積電和英特爾等半導體巨頭都曾表示，2012年是開始450mm晶圓的適當時機，但是這個預測顯然過分樂觀，現在2015年量產的可能性也已經不存在，半導體生產技術的急速進步在技術和市場的壓力下戛然而止。450mm晶圓的經濟分析和總成本爭論還包括融資模式的問題。Trafas博士稱300mm晶圓升級受益的只是芯片制造商，整個供應鏈還沒有從上一次晶圓轉進中收回研發(fā)成本。SEMI估計300mm轉變中研發(fā)成本超過220億美元。早在2005年SEMI就表示，產業(yè)面臨研發(fā)投資缺口，威脅到與摩爾定律相關的成本降低的可持續(xù)性。2006年，SEMI表示在轉向450mm構想之前，產業(yè)需要通過好的模式來融資，使每一個參與其中的廠商都能獲得合理的回報。

多數業(yè)內人士認為現在的問題并不是什么時候升級，而是還需不需要。如果市場需求下降，那么大量的技術升級帶來的資本支出將給半導體芯片制造商帶來巨大的負擔。Trafas博士認為：“2011年的芯片出貨量已經見頂，2012年出貨量將會回落，其中臺積電和格羅方德都會下降，下降幅度在10%～15%，只有三星仍舊會增加產能，主要是NAND閃存仍舊會有增長，DRAM還無法確定?！庇捎谌蚝暧^經濟形勢日趨惡化，半導體行業(yè)整體出貨量下降的幅度可能還不止這些。