電子產品驗證服務商宜特（3289）與子公司上海宜碩，獲選進入IEEE等級、半導體故障分析領域的集成電路失效分析論壇IPFA 2013發(fā)表研究成果。宜特此次將以IC質量為主軸，分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」、「EOS 脈沖波過電保護」等三方面的檢測能力，并將屆此搶進3D IC檢測市場。

在3DIC 方面，宜特研究出兩種克服的方式，其一是利用研磨技術將3D IC微凸塊（u-bump）失效區(qū)域定位，并搭配聚焦離子束顯微鏡（FIB），將其失效微凸塊切削進行斷面觀察；其二是擴大可觀察的微凸塊范圍，從100um提升至3000um，此兩項技術亦可使用在3D IC的直通矽晶穿孔（TSV）結構觀察。

在IC電磁輻射消除的研究上，宜特藉由傳統(tǒng)與專利研發(fā)的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置于IC芯片上，并與IC內部的訊號節(jié)點作連結。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭并加以消除，提供IC設計者一種CP值極高的IC EMI解決方案。

在EOS 脈沖波過電保護部份，宜特藉由脈沖波模擬不同制程的IC上電，從其產生的過度電性應力（EOS）機制進行研究，在這當中，發(fā)現(xiàn)EOS耐受能力與脈沖時間存在「線性關系」，同時也發(fā)現(xiàn)IC制程本身閘氧崩潰與電壓有關。從此測試，亦可提供客戶簡易方式，來對元件進行抗受力測試，亦可對于元件過電保護，提供一個有效參考指標。