爾必達全面量產(chǎn)30nmDRAM 第三季產(chǎn)能將達到近8萬枚/月
[導讀]日本爾必達存儲器（ElpidaMemory）宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺灣瑞晶電子（RexchipElectronics）的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比
日本爾必達存儲器（ElpidaMemory）宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺灣瑞晶電子（RexchipElectronics）的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴大至20％、2011年7～9月擴大至30％。而瑞晶工廠則計劃在2011年7～9月導入30nmDRAM技術，2011年7～9月將比例提高至50％、2011年10～12月迅速提高至100％。
爾必達從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM，2010年底開始向處理器廠商等大型客戶樣品供貨2Gbit產(chǎn)品。在市場行情惡化導致DRAM被迫整體減產(chǎn)的情況下，爾必達于2011年1月在廣島工廠開始量產(chǎn)30nmDRAM，量產(chǎn)規(guī)模在2011年1～3月為數(shù)千萬枚/月。之后，隨著DRAM市場行情的復蘇而取消了減產(chǎn)計劃，廣島工廠恢復了12萬枚/月的滿負荷運轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中預定在2011年4～6月使30nmDRAM比例達到20％（其余80％基本上都是40nm工藝產(chǎn)品）。也就是說，2011年4～6月的30nmDRAM產(chǎn)量為2萬4000枚/月（＝12萬枚/月×20％）。
隨后，爾必達將在2011年7～9月把廣島工廠的30nmDRAM比例提高至30％。此外，還計劃向瑞晶工廠移植30nmDRAM技術，將2011年7～9月的30nmDRAM比例提高至50％。因此，把廣島工廠3萬6000枚/月（＝12萬枚/月×30％）和瑞晶工廠4萬2500枚/月（＝8萬5000枚/月×50％）的產(chǎn)能加起來，爾必達的30nmDRAM總產(chǎn)量將達到7萬8500枚/月。之后，將在2011年10～12月把瑞晶工廠的30nmDRAM比例提高至100％。另外，廣島工廠還要兼顧其他產(chǎn)品的生產(chǎn)，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及該比例達到100％的時間等“未定”（爾必達）。
關于30nmDRAM的具體生產(chǎn)計劃方面，2011年5月將首先面向個人電腦（PC）量產(chǎn)2GbitDDR3-SDRAM，之后在廣島工廠量產(chǎn)4GbitDDR2標準的“MobileRAM”和4GbitDDR3-SDRAM。瑞晶工廠將以量產(chǎn)PC用DRAM為核心。另外，據(jù)爾必達介紹，與該公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45％左右、耗電量將減少20％以上。
爾必達從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM，2010年底開始向處理器廠商等大型客戶樣品供貨2Gbit產(chǎn)品。在市場行情惡化導致DRAM被迫整體減產(chǎn)的情況下，爾必達于2011年1月在廣島工廠開始量產(chǎn)30nmDRAM，量產(chǎn)規(guī)模在2011年1～3月為數(shù)千萬枚/月。之后，隨著DRAM市場行情的復蘇而取消了減產(chǎn)計劃，廣島工廠恢復了12萬枚/月的滿負荷運轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中預定在2011年4～6月使30nmDRAM比例達到20％（其余80％基本上都是40nm工藝產(chǎn)品）。也就是說，2011年4～6月的30nmDRAM產(chǎn)量為2萬4000枚/月（＝12萬枚/月×20％）。
隨后，爾必達將在2011年7～9月把廣島工廠的30nmDRAM比例提高至30％。此外，還計劃向瑞晶工廠移植30nmDRAM技術，將2011年7～9月的30nmDRAM比例提高至50％。因此，把廣島工廠3萬6000枚/月（＝12萬枚/月×30％）和瑞晶工廠4萬2500枚/月（＝8萬5000枚/月×50％）的產(chǎn)能加起來，爾必達的30nmDRAM總產(chǎn)量將達到7萬8500枚/月。之后，將在2011年10～12月把瑞晶工廠的30nmDRAM比例提高至100％。另外，廣島工廠還要兼顧其他產(chǎn)品的生產(chǎn)，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及該比例達到100％的時間等“未定”（爾必達）。
關于30nmDRAM的具體生產(chǎn)計劃方面，2011年5月將首先面向個人電腦（PC）量產(chǎn)2GbitDDR3-SDRAM，之后在廣島工廠量產(chǎn)4GbitDDR2標準的“MobileRAM”和4GbitDDR3-SDRAM。瑞晶工廠將以量產(chǎn)PC用DRAM為核心。另外，據(jù)爾必達介紹，與該公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45％左右、耗電量將減少20％以上。
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