減產(chǎn)或轉(zhuǎn)型？DRAM廠商面臨抉擇關(guān)卡
[導讀]根據(jù)TrendForce旗下記憶體產(chǎn)業(yè)研究部門DRAMeXchange調(diào)查，由于2012年全球DRAM市場持續(xù)供過于求，加上PC整體出貨再度下修至年衰退5%，使得10月份DRAM合約價跌破16美元，并持續(xù)往15美元關(guān)卡價位前進；各DRAM廠的成本結(jié)
ce="Times New Roman">根據(jù)TrendForce旗下記憶體產(chǎn)業(yè)研究部門DRAMeXchange調(diào)查，由于2012年全球DRAM市場持續(xù)供過于求，加上PC整體出貨再度下修至年衰退5%，使得10月份DRAM合約價跌破16美元，并持續(xù)往15美元關(guān)卡價位前進；各DRAM廠的成本結(jié)構(gòu)再一次受到考驗，面臨逼近甚至跌破現(xiàn)金成本窘境，減產(chǎn)或是轉(zhuǎn)進其他非DRAM產(chǎn)品，再一次成為各廠燃眉之急。
DRAMeXchange指出，除了茂德因財務(wù)問題而正式退出市場外，爾必達(Elpida)與瑞晶率先于今年8月啟動減產(chǎn)，力晶也于9月起調(diào)整P3廠的總投片量，而南科與華亞科亦正式宣布于本月起減產(chǎn)20%。反觀韓系廠商，由于成本結(jié)構(gòu)優(yōu)于其他競爭者，雖然暫無減產(chǎn)計劃，但調(diào)整生產(chǎn)比重的腳步日益積極，力求減少標準型DRAM的產(chǎn)出量，移往毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體。綜合以上產(chǎn)能的變化，全球DRAM產(chǎn)能從今年高點的1130K減少至10月的1050k，減產(chǎn)幅度約為原先總產(chǎn)能的7.1%，共計80K左右。
從市場面來觀察，此波減產(chǎn)多以標準型記憶體為主，加上韓系廠商亦積極降低標準型記憶體比例，將有助于標準型DRAM價格的止跌反彈；如三星(Samsung)今年早已把標準型記憶體產(chǎn)出比重降至約30%，明年目標更希望可以調(diào)整至25%間；SK海力士(Hynix)亦不遑多讓，今年標準型記憶體產(chǎn)出仍占整體產(chǎn)出約50%，但明年計劃持續(xù)下修至40%以下，進一步縮減標準型記憶體的曝險比例。
而美光(Micron)與爾必達的整并案最快也將于明年上半年完成，按照其原始規(guī)劃，未來廣島廠將單純以生產(chǎn)行動式記憶體為主力，標準型記憶體的由子公司瑞晶負責生產(chǎn)。同時華亞科亦主攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，標準型記憶體的產(chǎn)出規(guī)模也逐漸縮小當中。臺系廠力晶于今年度逐步淡出記憶體的生產(chǎn)，力圖轉(zhuǎn)型至代工為主的業(yè)務(wù)型態(tài)，其標準型記憶體僅在P3生產(chǎn)，并且自9月起，投片規(guī)模僅剩原來產(chǎn)能的一半，未來將持續(xù)縮減產(chǎn)能。
DRAMeXchange指出，受到需求端的變化，供給面往年標準型記憶體產(chǎn)出規(guī)模逾50%的市況已不復見，明年更下修至僅占總產(chǎn)出的35%。同時，由于減產(chǎn)幅度預計進一步擴大，明年DRAM市場的年成長率亦創(chuàng)下自2009年金融風暴后最低，僅有21%，降低位元產(chǎn)出以避免大規(guī)模供過于求已是業(yè)界心照不宣的共識。
觀察現(xiàn)貨市場，近期已逐漸顯露出欲跌不易的價格格局，加上減產(chǎn)的DRAM廠多以銷售現(xiàn)貨市場為主要渠道，此波減產(chǎn)將首先沖擊現(xiàn)貨價格，一線模組廠已預計策略性的提高DRAM顆粒購買量，回補并拉高庫存水位。雖然現(xiàn)貨市場的規(guī)模持續(xù)縮小，但其市場顆粒價格的走勢仍往往是合約市場的先行指標。
TrendForce分析，DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應(yīng)已正在逐步發(fā)酵當中，在跌無可跌的前提之下，短時間內(nèi)現(xiàn)貨價格有機會帶動一波價格的上漲走勢。目前各DRAM廠已有降低投資幅度、放慢制程轉(zhuǎn)進時程的共識，冀望于2013年的首季過后，DRAM供需狀態(tài)逐步回到健康水位，有助于價格持續(xù)的提升以及總產(chǎn)值的復蘇。
DRAMeXchange指出，除了茂德因財務(wù)問題而正式退出市場外，爾必達(Elpida)與瑞晶率先于今年8月啟動減產(chǎn)，力晶也于9月起調(diào)整P3廠的總投片量，而南科與華亞科亦正式宣布于本月起減產(chǎn)20%。反觀韓系廠商，由于成本結(jié)構(gòu)優(yōu)于其他競爭者，雖然暫無減產(chǎn)計劃，但調(diào)整生產(chǎn)比重的腳步日益積極，力求減少標準型DRAM的產(chǎn)出量，移往毛利較高的行動式記憶體與伺服器用記憶體。綜合以上產(chǎn)能的變化，全球DRAM產(chǎn)能從今年高點的1130K減少至10月的1050k，減產(chǎn)幅度約為原先總產(chǎn)能的7.1%，共計80K左右。
從市場面來觀察，此波減產(chǎn)多以標準型記憶體為主，加上韓系廠商亦積極降低標準型記憶體比例，將有助于標準型DRAM價格的止跌反彈；如三星(Samsung)今年早已把標準型記憶體產(chǎn)出比重降至約30%，明年目標更希望可以調(diào)整至25%間；SK海力士(Hynix)亦不遑多讓，今年標準型記憶體產(chǎn)出仍占整體產(chǎn)出約50%，但明年計劃持續(xù)下修至40%以下，進一步縮減標準型記憶體的曝險比例。
而美光(Micron)與爾必達的整并案最快也將于明年上半年完成，按照其原始規(guī)劃，未來廣島廠將單純以生產(chǎn)行動式記憶體為主力，標準型記憶體的由子公司瑞晶負責生產(chǎn)。同時華亞科亦主攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，標準型記憶體的產(chǎn)出規(guī)模也逐漸縮小當中。臺系廠力晶于今年度逐步淡出記憶體的生產(chǎn)，力圖轉(zhuǎn)型至代工為主的業(yè)務(wù)型態(tài)，其標準型記憶體僅在P3生產(chǎn)，并且自9月起，投片規(guī)模僅剩原來產(chǎn)能的一半，未來將持續(xù)縮減產(chǎn)能。
DRAMeXchange指出，受到需求端的變化，供給面往年標準型記憶體產(chǎn)出規(guī)模逾50%的市況已不復見，明年更下修至僅占總產(chǎn)出的35%。同時，由于減產(chǎn)幅度預計進一步擴大，明年DRAM市場的年成長率亦創(chuàng)下自2009年金融風暴后最低，僅有21%，降低位元產(chǎn)出以避免大規(guī)模供過于求已是業(yè)界心照不宣的共識。
觀察現(xiàn)貨市場，近期已逐漸顯露出欲跌不易的價格格局，加上減產(chǎn)的DRAM廠多以銷售現(xiàn)貨市場為主要渠道，此波減產(chǎn)將首先沖擊現(xiàn)貨價格，一線模組廠已預計策略性的提高DRAM顆粒購買量，回補并拉高庫存水位。雖然現(xiàn)貨市場的規(guī)模持續(xù)縮小，但其市場顆粒價格的走勢仍往往是合約市場的先行指標。
TrendForce分析，DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應(yīng)已正在逐步發(fā)酵當中，在跌無可跌的前提之下，短時間內(nèi)現(xiàn)貨價格有機會帶動一波價格的上漲走勢。目前各DRAM廠已有降低投資幅度、放慢制程轉(zhuǎn)進時程的共識，冀望于2013年的首季過后，DRAM供需狀態(tài)逐步回到健康水位，有助于價格持續(xù)的提升以及總產(chǎn)值的復蘇。
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