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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)加緊腳步,擴(kuò)充產(chǎn)能不遺余力,中科Fab15廠房的28納米新一期廠房本月投產(chǎn),負(fù)責(zé)20納米的南科Fab14第五、六期陸續(xù)裝機(jī),第3季12寸月產(chǎn)能將突破40萬(wàn)片,與英特爾并駕齊驅(qū)。臺(tái)積電今年資本支出調(diào)高為

臺(tái)積電在先進(jìn)制程技術(shù)加緊腳步,擴(kuò)充產(chǎn)能不遺余力,中科Fab15廠房的28納米新一期廠房本月投產(chǎn),負(fù)責(zé)20納米的南科Fab14第五、六期陸續(xù)裝機(jī),第3季12寸月產(chǎn)能將突破40萬(wàn)片,與英特爾并駕齊驅(qū)。

臺(tái)積電今年資本支出調(diào)高為95億至100億美元后,與英特爾、三星并列半導(dǎo)體資本支出百億美元俱樂(lè)部??春靡苿?dòng)通信對(duì)高階制程的需求持熱,臺(tái)積28納米主力廠房中科Fab15新一期(P3與P4)產(chǎn)能本月投產(chǎn),28納米年底月產(chǎn)能上看10萬(wàn)片,較去年底增一倍,今年28納米產(chǎn)能目標(biāo)較去年大增三倍。

20納米預(yù)計(jì)以新竹Fab12與南科Fab14廠為主,南科Fab14第五、六期已陸續(xù)裝機(jī),第六、七期為16納米Finfet。臺(tái)積電規(guī)劃,本季12寸月產(chǎn)能平均達(dá)36.9萬(wàn)片,下季增加至40.2萬(wàn)片。

市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights統(tǒng)計(jì),英特爾與臺(tái)積電分別是去年第四、五大12寸晶圓產(chǎn)能供應(yīng)商,兩家公司今年12寸月產(chǎn)能分別估為44萬(wàn)片、41萬(wàn)片,但臺(tái)積電擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)展順利,第3季12寸月產(chǎn)能突破40萬(wàn)片大關(guān)后,與英特爾的產(chǎn)能規(guī)模將更加接近。

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報(bào)道稱(chēng),美國(guó)政府最近已經(jīng)通知臺(tái)積電,決定終止臺(tái)積電南京廠的所謂驗(yàn)證最終用戶(hù) (VEU) 地位,這也意味著后續(xù)臺(tái)積電南京廠采購(gòu)美系半導(dǎo)體設(shè)備和材料都需要向美國(guó)政府申請(qǐng)?jiān)S可。

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8月25日消息,據(jù)援引知情人士的話報(bào)道稱(chēng),臺(tái)積電正在其最先進(jìn)的晶圓廠中取消使用中國(guó)大陸廠商的芯片制造設(shè)備,以避免任何可能擾亂生產(chǎn)的來(lái)自美國(guó)政府潛在限制。

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